國內(nèi)高性能碳化硅（SiC）模塊廠商無錫利普思半導體有限公司（以下簡稱“利普思”）近日完成億元級PreB+輪融資，新投資方為揚州國金、揚州龍投資本。
利普思將資金用于在揚州投建總投資10億元的專業(yè)化車規(guī)級SiC模塊封裝測試基地，規(guī)劃年產(chǎn)能300萬只，一期產(chǎn)線預計2026年竣工、2027年3月投產(chǎn)。新基地將按高端車規(guī)標準打造獨立SiC產(chǎn)線，采用全自動化流水線，支持新一代嵌入式封裝及定制化開發(fā)，目標2027年實現(xiàn)年交付超200萬只模塊，助力電網(wǎng)與AI算力基建提速。
利普思成立于2019年，專注第三代功率半導體SiC模塊研發(fā)與生產(chǎn)。目前，公司產(chǎn)品覆蓋IGBT和SiC兩大系列，應用場景包括新能源汽車主驅(qū)、電動重卡、儲能、電網(wǎng)高壓SVG、超充及工業(yè)電源等。無錫工廠于2022年投產(chǎn)，年產(chǎn)能約70萬只。
市場布局方面，利普思2020年在日本設立全資子公司作為海外研發(fā)中心，擁有多位日本籍資深技術(shù)專家，同時在歐洲設立銷售服務中心，以強化本地化方案解決能力。目前利普思產(chǎn)品已出口超過20個國家，2025年，公司海外銷售占比已接近一半。
據(jù)悉，利普思1200V-3300V多款SiC模塊已進入國內(nèi)外客戶SST樣品測試階段，部分項目處于可靠性驗證期，預計2027年有望規(guī)?；帕?。
（集邦化合物半導體整理）
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