據(jù)媒體報道，合肥安海半導體股份有限公司（簡稱“安海半導體”）近日宣布，其自主研發(fā)的6.5kV/40mΩ與10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片，已通過浙江大學電氣工程學院實驗檢驗，并經(jīng)由中國科學院電工研究所高頻場控功率器件及裝置產(chǎn)品質(zhì)量檢驗中心現(xiàn)場見證測試，目前兩款產(chǎn)品均已實現(xiàn)量產(chǎn)，良率均突破80%。
檢測報告顯示，本次量產(chǎn)的兩款芯片性能表現(xiàn)優(yōu)異，全面覆蓋高端電力電子高壓應用區(qū)間，兼具超高耐壓與低導通損耗的雙重優(yōu)勢，為高壓直掛應用提供了理想的核心器件。
這一突破有望推動多個高附加值行業(yè)的電氣架構變革：在綠色船舶與高鐵交通領域，可顯著降低牽引系統(tǒng)損耗，減小設備體積與重量，助力交通運輸綠色轉型；在新型配電與算力供電領域，作為高壓直掛固態(tài)變壓器的核心元件，可支撐智能電網(wǎng)建設，同時簡化算力中心供電架構，打造節(jié)能型綠色算力基礎設施；在高壓柔性直流輸電領域，其應用可將傳統(tǒng)串聯(lián)器件數(shù)量減少60%以上，簡化系統(tǒng)結構，助力我國電力裝備產(chǎn)業(yè)擺脫對進口IGBT器件的依賴，實現(xiàn)“換道超車”。
安海半導體負責人黃昕表示，10kV芯片實現(xiàn)高良率量產(chǎn)，標志著我國在該領域實現(xiàn)了從“跟跑”到“領跑”的跨越。未來，公司將持續(xù)拓展高壓碳化硅的應用邊界，積極推進“產(chǎn)學研用”創(chuàng)新體系建設，提供更優(yōu)質(zhì)的功率解決方案，服務國家重大戰(zhàn)略需求，賦能產(chǎn)業(yè)升級。
目前，安海半導體首批10kV碳化硅MOSFET芯片已順利出貨。黃昕透露，公司正攜手下游頭部客戶，加速推進器件封裝、驅動等相關技術發(fā)展，推動該芯片在船舶、高鐵、算力中心及智能電網(wǎng)等領域的應用落地。
（集邦化合物半導體整理）
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