1月15日，江蘇誠(chéng)盛科技——麒思大功率器件項(xiàng)目在江蘇揚(yáng)州高郵正式發(fā)布。項(xiàng)目計(jì)劃總投資9億元，主要生產(chǎn)大功率器件、SiC、IGBT模塊封測(cè)等產(chǎn)品。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
據(jù)悉，該項(xiàng)目由誠(chéng)盛科技控股（持股比例94%）子公司麒思電子承擔(dān)。麒思電子自建廠房總面積30740㎡，其中23000㎡用于生產(chǎn)車間。項(xiàng)目分兩期實(shí)施，一期投入4.8 億元，預(yù)計(jì)將于今年8月量產(chǎn)，可年產(chǎn)分立器件3.3億只、模塊120萬(wàn)只。
作為一家專注芯片設(shè)計(jì)，晶圓制造，芯片封裝測(cè)試及OLED顯示模組研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的廠商，誠(chéng)盛科技通過(guò)控股子公司投建SiC相關(guān)項(xiàng)目，看中的是SiC產(chǎn)業(yè)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)規(guī)模。
除麒思電子外，近期還有其他廠商也簽約啟動(dòng)了SiC相關(guān)項(xiàng)目，包括連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目、大江半導(dǎo)體新建SiC項(xiàng)目等。
其中，連城數(shù)控1月10日發(fā)布公告稱，公司及下屬全資子公司連科半導(dǎo)體擬與無(wú)錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項(xiàng)目投資協(xié)議書》，投建第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目。根據(jù)協(xié)議，連城數(shù)控指定連科半導(dǎo)體作為投資主體，計(jì)劃投資總額不超過(guò)10.50億，在無(wú)錫市投資建設(shè)SiC長(zhǎng)晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。
據(jù)了解，2023年上半年，連城數(shù)控液相法SiC長(zhǎng)晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺(tái)訂單，而SiC立式感應(yīng)合成爐科研成果也通過(guò)了專家團(tuán)的鑒定。
此外，浙江省發(fā)改委官網(wǎng)近日公示，2024年度浙江省重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目擬新增1個(gè)SiC項(xiàng)目，總投資38億元，共計(jì)建筑面積77745.78平米，由大江半導(dǎo)體承擔(dān)。
另外根據(jù)杭州規(guī)劃和自然資源局官網(wǎng)公布的《蕭政工出〔2023〕30號(hào)功率器件封裝模塊制造項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》內(nèi)容指出，該項(xiàng)目計(jì)劃生產(chǎn)SiC功率模塊。項(xiàng)目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬(wàn)個(gè)。
除即將新建的項(xiàng)目外，近期還有多個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目取得進(jìn)展，包括天科合達(dá)SiC晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、蘇州納米城第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目等。
其中，天科合達(dá)SiC晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目于12月28日全面封頂。據(jù)介紹，天科合達(dá)SiC晶片二期項(xiàng)目總投資8.3億元，建筑面積約5萬(wàn)平方米，購(gòu)置安裝單晶生長(zhǎng)爐及配套的多線切割機(jī)，外圓及平面磨床，雙磨研磨機(jī)等主要生產(chǎn)設(shè)備以及配套動(dòng)力輔助設(shè)備合計(jì)647臺(tái)（套），預(yù)計(jì)2024年6月竣工，全部達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)SiC襯底16萬(wàn)片。
此外，蘇州納米城國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目企業(yè)總部工程于12月29日交付。該項(xiàng)目于2022年1月14日開工，首期占地105畝，總建筑面積超20萬(wàn)平方米，將布局建設(shè)符合第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新的3萬(wàn)平方米高標(biāo)準(zhǔn)潔凈廠房以及配套設(shè)施。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。