近日，北京颶芯科技有限公司（以下簡稱颶芯科技）和深圳芯能半導體技術有限公司（以下簡稱芯能半導體）旗下兩個第三代半導體相關項目相繼披露最新進展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
國內(nèi)首條GaN半導體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)
近期，颶芯科技國內(nèi)首條GaN半導體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會于廣西柳州舉行，標志著GaN半導體激光器芯片實現(xiàn)了進口替代和自主可控。
據(jù)悉，由于技術門檻較高，國際上只有少數(shù)企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術。為解決GaN激光器芯片“卡脖子”問題，颶芯科技建成了國內(nèi)首條GaN半導體激光器芯片量產(chǎn)線，產(chǎn)線包含8大工藝站點，擁有半導體量產(chǎn)設備100余臺，涵蓋襯底、外延、工藝與封測等各生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
目前，北京大學胡曉東團隊已經(jīng)攻克了GaN半導體激光器相關的主要科學和技術問題，建立了芯片制備技術中的8大核心工藝，打破了國外企業(yè)長期的技術壟斷。
此外，半導體所集成光電子學國家重點實驗室趙德剛研究員團隊已經(jīng)研制出GaN基大功率紫外激光器，室溫連續(xù)輸出功率2W，電注入激射波長384nm。這是趙德剛研究員團隊在實現(xiàn)波長小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要進展。
資料顯示，GaN基紫外激光器由于波長短、光子能量大，在消毒殺菌、病毒檢測、激光加工、紫外固化等領域有重要的應用。但由于GaN基紫外激光器基于大失配異質(zhì)外延材料技術制備而成，缺陷多、發(fā)光效率低，器件研制難度大，瓦級大功率紫外激光器一直是國際相關領域研究的熱點，但關鍵技術尚未完全攻克，大功率紫外激光器是國際公認的技術壁壘。
芯能半導體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房完成交接
近日，芯能半導體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行，本次交接項目為一棟三層半結(jié)構(gòu)，約13000m2。
官網(wǎng)資料顯示，芯能半導體成立于2013年9月，專注功率芯片、驅(qū)動芯片設計開發(fā)，產(chǎn)品包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標準功率模塊(PIM)，廣泛應用于工控、家電、以及新能源汽車等領域。
芯能半導體總部位于深圳，在浙江義烏建有車規(guī)級功率模塊制造基地，在深圳、上海、蘇州設有研發(fā)中心，并在深圳、上海、蘇州、青島、順德、杭州等地建立了銷售辦事處。目前，芯能半導體合作客戶超過1000家，廣泛分布于小家電、白色家電、工控、新能源汽車、以及太陽能逆變器等領域。
2023年5月，芯能半導體與合肥市政府簽署項目合作協(xié)議，將在合肥安巢經(jīng)開區(qū)建設10條IGBT、5條SiC MOS自動化生產(chǎn)線，產(chǎn)品應用于新能源汽車、太陽能和家電等行業(yè)。
據(jù)透露，芯能半導體合肥項目專注于大功率模塊封測，項目整體建成達產(chǎn)后，預計可實現(xiàn)年產(chǎn)480萬只IGBT模塊和60萬只SiC MOS模塊。
產(chǎn)品方面，芯能半導體去年7月發(fā)布了IPM29 SiC MOS智能功率模塊新產(chǎn)品。作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，針對SiC定制優(yōu)化驅(qū)動部分，能夠有效減小開關振蕩。（集邦化合物半導體Zac整理）
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