近日，由中國國際經(jīng)濟技術合作促進會標準化工作委員會（以下簡稱“國促會標委會”）聯(lián)合通標中研標準化技術研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術規(guī)范化學氣相沉積法（CVD）》團體標準啟動會順利召開。
包括廣東天域半導體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍河科技（紹興）有限公司、深圳市納設智能裝備股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、杭州海乾半導體有限公司、揚帆半導體（江蘇）有限公司在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)代表參加了本次啟動會。
近年來，我國發(fā)布《關于化纖工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的指導意見》《制造業(yè)可靠性提升實施意見》等相關政策，推動碳化硅等化合物半導體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，鼓勵業(yè)內(nèi)企業(yè)提升相關技術水平。國促會標委會攜手業(yè)內(nèi)專家學者、先進企業(yè)制定該標準，旨在規(guī)范碳化硅外延片的制備過程，確保通過化學氣相沉積法生長的外延層質(zhì)量更高，能夠滿足特定性能要求，從而提升碳化硅器件的整體性能和可靠性。
化學氣相沉積法（CVD）是目前碳化硅外延片制備的主流方法之一，由于其具有能夠精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，可以更好地滿足碳化硅外延片高質(zhì)量、高效率的制備需求。因此，制定針對化學氣相沉積法相關技術規(guī)范，對于推動碳化硅外延片行業(yè)發(fā)展具有重要意義。（集邦化合物半導體整理）
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