文章分類: 企業(yè)

意法半導體2025年碳化硅將全面升級為8英寸

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 01 日 14:17 | | 分類: 企業(yè)
6月28日,據(jù)韓媒報道,意法半導體(ST)將從明年第三季度開始將其碳化硅(SiC)功率半導體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率,以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。 意法半導體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者...  [詳內(nèi)文]

14.5億!安世半導體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 28 日 16:37 | | 分類: 企業(yè)
6月27日,半導體制造商Nexperia(安世半導體)宣布,計劃投資2億美元(約合人民幣14.5億元)開發(fā)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等下一代寬帶隙半導體(WBG),并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎設施。 同時,硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟...  [詳內(nèi)文]

搭上AI快車,第三代半導體要起飛了?

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:29 |
| 分類: 企業(yè)
第三代半導體功率器件主要以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能。 其中,SiC功率器件應用領域廣泛,新能源汽車已成為其主要應用市場之一。與硅基器件相比,SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求,助力新能源汽車延長續(xù)...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET正式量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 18:00 |
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作為一家聚焦于SiC半導體領域的芯片廠商,瞻芯電子致力于開發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品,并圍繞SiC功率半導體應用,為客戶提供一站式芯片解決方案。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,瞻芯電子在國內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平...  [詳內(nèi)文]

總投資10億元,鑫誠光電高端激光器芯片制造項目落地佛山

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 17:55 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)“順德發(fā)布”官微消息,6月24日,廣東鑫誠光電半導體有限公司(下文簡稱“鑫誠光電”)與佛山市順德區(qū)政府簽約,標志著高端激光器芯片項目正式落地順德陳村。 source:順德發(fā)布 該項目計劃總投資約為10億元,計劃分三期開展,主要建設高端激光器芯片的批量化生產(chǎn)以及測試基地。首期選...  [詳內(nèi)文]

世界第一座8英寸SiC晶圓工廠開工利用率已達到20%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 17:55 |
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6月24日,Wolfspeed披露了公司旗下SiC項目的最新進展。 Wolfspeed的莫霍克谷SiC晶圓廠的晶圓開工利用率已達到20%,Wolfspeed表示,這是公司努力滿足對SiC功率器件日益增長的需求的關鍵一步。 莫霍克谷SiC晶圓廠(source:Wolfspeed)...  [詳內(nèi)文]

布局GaN,臺達電子攜手TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 9:03 |
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6月21日,臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。 臺達表示,此舉不僅深化雙方長期合作關系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導體相關領域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術,強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢,增強臺達在電動車領域的核心競...  [詳內(nèi)文]

“科創(chuàng)板八條”發(fā)布,第三代半導體現(xiàn)2起并購

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 24 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
除了技術研發(fā)實力、資金等方面,利好政策扶持也是企業(yè)實現(xiàn)良性發(fā)展不可或缺的重要保障。6月19日,證監(jiān)會發(fā)布《關于深化科創(chuàng)板改革 服務科技創(chuàng)新和新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展的八條措施》(以下簡稱《八條措施》),其中第四條措施為更大力度支持并購重組。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 具體來看,第四條措施...  [詳內(nèi)文]

南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 24 日 18:00 |
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盡管目前市場上SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主,8英寸尚未大規(guī)模普及,但國內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極布局8英寸,其中就包括南砂晶圓。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 早在2022年9月,南砂晶圓就聯(lián)合山東大學成功實現(xiàn)8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備,采用物理氣相傳輸法(P...  [詳內(nèi)文]

碳化硅材料廠商晶彩科技新項目落戶浙江

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 17:12 |
| 分類: 企業(yè)
6月21日,紹興晶彩科技有限公司(下文簡稱“晶彩科技”)宣布,公司投資的第三代半導體碳化硅襯底專用原輔料關鍵材料產(chǎn)業(yè)化項目于近日簽約紹興柯橋。 source:彩晶科技 據(jù)介紹,該項目自主研發(fā)并攻克原位合成高純碳化硅多晶粉體技術,產(chǎn)品具有超高純度(6N及以上)、粒徑尺寸及均一性、...  [詳內(nèi)文]