文章分類： 企業(yè)

三代半電力領(lǐng)域“大顯身手”，安森美x英偉達(dá)、英諾賽科x聯(lián)合電子、浩思動(dòng)力加速布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在全球能源轉(zhuǎn)型與科技升級(jí)的浪潮下，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借高功率密度、低能耗、小體積等卓越特性，正成為驅(qū)動(dòng)各行業(yè)能效提升與技術(shù)革新的核心引擎，在AI數(shù)據(jù)中心供電、新能源汽車電力電子系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價(jià)值，推動(dòng)著相關(guān)產(chǎn)業(yè)向更高效、更綠色的方向邁進(jìn)。 ...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)碳化硅設(shè)備新突破，山東力冠發(fā)布大尺寸PVT設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 30 日 14:23 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，山東力冠于正式發(fā)布其12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，為8-12英寸SiC晶圓的規(guī)?；⒎€(wěn)定化、低成本制備樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。 山東力冠發(fā)布的12英寸PVT電阻設(shè)備及8英寸多坩堝設(shè)備，是碳化硅晶圓制備的核心工藝設(shè)備，可以決定了碳化硅晶錠的生長(zhǎng)效率、質(zhì)量和成本，與碳化...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體龍頭加速中國(guó)、馬來西亞布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 30 日 14:13 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌近期加速中國(guó)與馬來西亞布局，推進(jìn)戰(zhàn)略深化。中國(guó)方面，7月29日其分撥中心（中國(guó)）定制項(xiàng)目簽約，定位為全球三大物流樞紐之一，預(yù)計(jì)2027年8月投用，將通過智能化管理系統(tǒng)提升服務(wù)效率與可持續(xù)性；馬來西亞方面，已落實(shí)300億令吉額外投資，在吉打居林高科技工業(yè)園建設(shè)全...  [詳內(nèi)文]

15億元 ，成都士蘭汽車半導(dǎo)體封裝二期項(xiàng)目奠基

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 16:02 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，成都士蘭汽車半導(dǎo)體封裝二期項(xiàng)目正式奠基，項(xiàng)目總投資達(dá)15億元。該項(xiàng)目由杭州士蘭微電子股份有限公司投資建設(shè)，總投資達(dá)15億元。項(xiàng)目將新建7.9萬平方米的廠房及配套設(shè)施設(shè)備，并對(duì)汽車級(jí)功率模塊和功率器件封裝生產(chǎn)線進(jìn)行擴(kuò)建。整個(gè)項(xiàng)目涵蓋生產(chǎn)廠房、動(dòng)力站、立體庫(kù)等6大單體的現(xiàn)代化產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)、廣州粵升披露碳化硅最新進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 15:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈迎來多重突破，國(guó)內(nèi)企業(yè)在市場(chǎng)拓展與技術(shù)研發(fā)上齊頭并進(jìn)。天岳先進(jìn)成功打開日本市場(chǎng)，開始批量供應(yīng)碳化硅襯底材料；廣州粵升在8英寸碳化硅外延設(shè)備研發(fā)上取得突破性進(jìn)展。 7月29日，根據(jù)天岳先進(jìn)官微消息，天岳先進(jìn)宣布已經(jīng)開始向日本市場(chǎng)批量供應(yīng)碳化硅襯底材料。20...  [詳內(nèi)文]

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙巨頭碳化硅合作+1

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 28 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月24日，安森美（onsemi）在官網(wǎng)宣布與舍弗勒擴(kuò)大合作，雙方簽署了一項(xiàng)新的設(shè)計(jì)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線將為舍弗勒的牽引逆變器提供動(dòng)力，該逆變器將應(yīng)用于某全球領(lǐng)先汽車制造商的高端插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）平臺(tái)。 圖片來源：安...  [詳內(nèi)文]

100億！重慶12英寸晶圓廠擴(kuò)充產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 28 日 15:42 |
| 分類: 企業(yè)
7月25日，新微集團(tuán)正式宣布，其完成對(duì)重慶萬國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司的戰(zhàn)略收購(gòu)，并計(jì)劃分步啟動(dòng)百億增資計(jì)劃。 圖片來源：新微科技集團(tuán) 重慶萬國(guó)成立于2016年，由中國(guó)及兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基金與美國(guó)功率半導(dǎo)體巨頭AOS共同出資設(shè)立，是中國(guó)首家、全球第二家12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造...  [詳內(nèi)文]

山西國(guó)科完成A輪億元融資，加速引領(lǐng)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:09 |
| 分類: 企業(yè)
今年7月，山西國(guó)科半導(dǎo)體光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱“山西國(guó)科”）完成A輪億元融資，由太行基金、山證投資、騰飛資本、首業(yè)資本、上海彧好等聯(lián)合投資。 山西國(guó)科表示，此次融資將推動(dòng)公司實(shí)現(xiàn)”研發(fā)—生產(chǎn)—市場(chǎng)”的良性循環(huán)，加速光電半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 資料顯示，山西...  [詳內(nèi)文]

華為海思進(jìn)軍碳化硅領(lǐng)域，兩款工規(guī)SiC器件發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場(chǎng)景場(chǎng)景。 圖片來源：海思官網(wǎng)截圖 海思此次推出的兩款1200V SiC單管均采用TO-247-...  [詳內(nèi)文]

兩家企業(yè)同步攻破，12英寸SiC襯底入局新玩家！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 24 日 13:51 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月23日，浙江晶越半導(dǎo)體有限公司宣布已成功研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，這標(biāo)志晶越成功進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。 圖片來源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司 2025年上半年，晶越半導(dǎo)體已經(jīng)成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底，后續(xù)持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以...  [詳內(nèi)文]