文章分類： 企業(yè)

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

瞄準(zhǔn)車規(guī)級(jí)碳化硅，理想發(fā)表重要成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車官方公眾號(hào)發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會(huì)議）上發(fā)表了與車規(guī)級(jí)碳化硅相關(guān)的論文。 該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團(tuán)隊(duì)，論文題為《1200V汽車級(jí)碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究》，展示了碳化...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場(chǎng)景需求。 圖片來源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

羅姆開發(fā)100V功率MOSFET新產(chǎn)品，適用于AI服務(wù)器

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:26 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
6月3日，羅姆宣布開發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET。 圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) 新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已...  [詳內(nèi)文]

總投資2.65億元，第四代金剛石半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶烏魯木齊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:22 |
| 分類: 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
6月4日，烏魯木齊甘泉堡經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（工業(yè)區(qū)）（以下簡(jiǎn)稱“甘泉堡經(jīng)開區(qū)”）與南京儲(chǔ)芯電子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式簽署協(xié)議，標(biāo)志著總投資2.65億元的第四代金剛石半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶。 圖片來源：甘泉堡經(jīng)開區(qū)零距離 據(jù)了解，該項(xiàng)目計(jì)劃于2025年9月正式開工建設(shè)，并力...  [詳內(nèi)文]

總投資4.7億元，成都高新區(qū)微波射頻產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目啟動(dòng)建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:02 |
| 分類: 企業(yè) , 射頻
成都高新區(qū)正全力打造“微波之都”，近日，據(jù)成都高新區(qū)管委會(huì)官方網(wǎng)站及《成都日?qǐng)?bào)》消息，其核心項(xiàng)目——微波射頻產(chǎn)業(yè)園西區(qū)已于近日正式啟動(dòng)建設(shè)。該項(xiàng)目總投資達(dá)4.7億元，聚焦“制造基地+測(cè)試認(rèn)證中心”功能，旨在進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈條，搶占微波射頻產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新高地。 圖片來源：成都...  [詳內(nèi)文]

碳化硅領(lǐng)域再吸金，兩家企業(yè)獲大額融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）領(lǐng)域迎來兩筆重要融資，#遼寧漢硅半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “遼寧漢硅”）完成A+輪融資，#合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “鈞聯(lián)電子”）完成近億元A輪融資。這兩起融資事件凸顯了資本市場(chǎng)對(duì)碳化硅技術(shù)商業(yè)化前景的高度關(guān)注，也體現(xiàn)中國在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域...  [詳內(nèi)文]

宏微科技透露碳化硅芯片以及模塊進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，宏微科技舉辦投資者交流會(huì)，對(duì)外透露了碳化硅芯片以及模塊最新進(jìn)展。 宏微科技表示，第三代半導(dǎo)體是公司今年主要聚焦的方向。2025年第一季度，公司碳化硅產(chǎn)品加速出貨，產(chǎn)品收入占比超20%，同比增長顯著。 據(jù)悉，宏微科技自研的SiC SBD芯片已通過終端客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)批量出貨。模...  [詳內(nèi)文]

又一企業(yè)取得12英寸碳化硅晶體新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 15:15 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，合盛硅業(yè)股份有限公司旗下子公司 —— 寧波合盛新材料有限公司宣布成功研發(fā)出 12 英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶晶體，并同步啟動(dòng)了針對(duì)大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等工藝的系統(tǒng)研究。這一成果標(biāo)志著我國在 SiC 大尺寸晶體制造領(lǐng)域取得了具有里程碑意義的技術(shù)突破。...  [詳內(nèi)文]