文章分類： 企業(yè)

南京國(guó)盛第一枚GaN on Si外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
| 分類: 企業(yè)
12月22日，電科材料下屬國(guó)盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢(shì)，具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內(nèi)文]

斥資50億！光谷打造化合物半導(dǎo)體企業(yè)總部園區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡(jiǎn)稱光谷）宣布投資50億元建設(shè)化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地，選址九峰山實(shí)驗(yàn)室南面，計(jì)劃明年開(kāi)工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭(zhēng)在3年內(nèi)引育企業(yè)100家。 據(jù)悉，九峰山實(shí)驗(yàn)室是湖北十大實(shí)驗(yàn)室之一，已建成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科研及中試平臺(tái)。該總部園區(qū)將利...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)8英寸襯底批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
| 分類: 企業(yè)
12月21日，晶盛機(jī)電在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，公司8英寸碳化硅（SiC）襯底片已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。 據(jù)悉，晶盛機(jī)電自2017年開(kāi)始SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，經(jīng)過(guò)幾年沉淀，今年已經(jīng)迎來(lái)收獲期。今年2月4日，晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)...  [詳內(nèi)文]

生產(chǎn)率增長(zhǎng)100%！Riber外延設(shè)備獲美系客戶認(rèn)證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:52 |
| 分類: 企業(yè)
昨日（12/19）,美國(guó)分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE）設(shè)備供應(yīng)商Riber宣布，MBE 8000平臺(tái)已獲得美國(guó)外延生產(chǎn)商的最終認(rèn)證通過(guò)。 圖片來(lái)源：Riber 據(jù)介紹，MBE 8000可批量生長(zhǎng)8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有...  [詳內(nèi)文]

時(shí)代電氣取得高壓SiC電機(jī)控制器專利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
| 分類: 企業(yè)
天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱時(shí)代電氣）公開(kāi)一項(xiàng)“一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動(dòng)汽車(chē)”專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN117220562A，申請(qǐng)日期為2023年8月30日。 該專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動(dòng)汽車(chē)，...  [詳內(nèi)文]

聚焦SiC單晶襯底，世紀(jì)金芯和湖南S公司達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
| 分類: 企業(yè)
近日，合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱世紀(jì)金芯）與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將圍繞碳化硅（SiC）單晶襯底在業(yè)務(wù)和技術(shù)方面推行戰(zhàn)略合作，年合作不低于5萬(wàn)片，交易金額超過(guò)2億元。 資料顯示，世紀(jì)金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電：SiC生長(zhǎng)設(shè)備自研自用，外延設(shè)備外銷(xiāo)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:43 | | 分類: 企業(yè)
12月19日，晶盛機(jī)電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司碳化硅（SiC）生長(zhǎng)設(shè)備為自研自用，對(duì)外銷(xiāo)售SiC外延設(shè)備。SiC襯底及外延片利潤(rùn)情況受其市場(chǎng)價(jià)格、綜合成本等因素影響，隨著公司長(zhǎng)晶及加工技術(shù)、成本控制的不斷優(yōu)化，預(yù)期未來(lái)利潤(rùn)將因此受益。 source:晶盛機(jī)電 在SiC設(shè)備方面...  [詳內(nèi)文]

通用智能交付8英寸SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
12月16日，河南通用智能裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱通用智能）自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。 據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點(diǎn)，在SiC器件制造領(lǐng)域存在一個(gè)難點(diǎn)——晶錠分割工藝過(guò)程。目前，SiC晶錠主要通過(guò)砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。...  [詳內(nèi)文]

PI、南瑞半導(dǎo)體透露SiC MOS項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:46 |
| 分類: 企業(yè)
因搭載高壓平臺(tái)的電動(dòng)汽車(chē)在補(bǔ)能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色，可以大幅提高客戶的使用體驗(yàn)，大有成為主流之勢(shì)。而SiC MOSFET在高壓車(chē)載領(lǐng)域的良好表現(xiàn)，受到市場(chǎng)的追捧，新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領(lǐng)域來(lái)看，又有兩家企業(yè)有了新動(dòng)態(tài)。 Powe...  [詳內(nèi)文]

SiC材料廠超芯星、東映碳材完成新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 14 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
近日，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)資本市場(chǎng)風(fēng)云再起，SiC襯底供應(yīng)商江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱超芯星）和SiC原材料廠商湖南東映碳材料科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱東映碳材）分別完成數(shù)億元新一輪融資。 超芯星完成數(shù)億元C輪融資 今日（12月14日），超芯星宣布完成數(shù)億元C輪融資，本輪...  [詳內(nèi)文]