在最近的IEDM大會上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設(shè)備。
具有集成驅(qū)動器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飛凌領(lǐng)導(dǎo)的歐洲重大研究項目開發(fā)。
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英特爾展示GaN新技術(shù) |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2023 年 12 月 13 日 17:41
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