文章分類: 企業(yè)

擴產(chǎn)SiC,三菱電機300億日元債券獲投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 17 日 8:25 |
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1月15日,日本索尼銀行發(fā)布消息稱,該銀行已經(jīng)對三菱電機發(fā)行的綠色債券進行了投資。據(jù)悉,該綠色債券由三菱電機于2023年12月18日發(fā)行,年限為5年,發(fā)行額度為300億日元(約合14.75億人民幣),籌集資金將用于三菱電機的SiC功率半導體制造的設備投資、研發(fā)以及投融資。 so...  [詳內(nèi)文]

飛仕得SiC測試設備成功認定浙江省首臺(套)裝備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 17:50 |
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1月15日,杭州飛仕得科技股份有限公司(下文簡稱“飛仕得”)官微發(fā)文稱,公司的SiC器件智能動態(tài)測試裝備成功入選并被認定為浙江省首臺(套)裝備。 據(jù)介紹,SiC器件智能動態(tài)測試設備是飛仕得總結10多年SiC MOSFET/IGBT應用經(jīng)驗開發(fā)的功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),并經(jīng)歷了...  [詳內(nèi)文]

新增訂單約83.6億,中微公司2023年凈利預增超45%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 17:24 |
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1月14日,中微公司發(fā)布2023年年度業(yè)績預告稱,公司預計2023年營業(yè)收入約62.6億元,較2022年增加約15.2億元,同比增長約32.1%。其中,2023 年刻蝕設備銷售約 47.0 億元,同比增長約 49.4%;MOCVD 設備銷售約 4.6 億元,同比下降約 34.0%...  [詳內(nèi)文]

宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 18:05 |
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天眼查資料顯示,1月12日,宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利,申請公布號為CN117393605A,申請日期為2023年11月7日。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 該專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率...  [詳內(nèi)文]

投資近20億,日本晶圓設備制造商Disco將建新工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 18:00 |
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1月15日消息,日本晶圓設備制造商Disco將在日本廣島縣建設一家工廠,生產(chǎn)用于加工晶圓的一種組件。Disco預計投資超過400億日元(約合19.78億人民幣),計劃最早于2025年開始建設。新工廠將生產(chǎn)用于切割、研磨和拋光過程的切割輪,到2035年,該公司的產(chǎn)能將提高14倍。 ...  [詳內(nèi)文]

芯片材料廠Resonac欲收購光刻膠巨頭股份

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 17:45 |
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日本芯片材料廠商Resonac的首席執(zhí)行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業(yè)的另一輪整合做準備,并表示公司可能會出手收購JSR的關鍵股份。 Hidehito Takahashi表示,JIC(日本投資公司)斥60億美元收購全球最大光刻膠制造商JSR,這...  [詳內(nèi)文]

日本DISCO推出新型SiC切割設備,速度提高10倍

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè)
日本晶圓設備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅(SiC)切割設備DDS2020,支持切割8英寸SiC材料,可將SiC晶圓的切割速度提高10倍,首批產(chǎn)品已交付客戶。 source:DISCO 據(jù)介紹,SiC材質(zhì)偏硬加工難度較大,DDS2020晶圓切割設備采用了新的斷...  [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會被瑞薩電子選中?

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:04 | | 分類: 企業(yè)
1月11日,瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約24.27億人民幣)。 source:瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓已與客戶簽合作長約,持續(xù)強化SiC布局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 16:20 | | 分類: 企業(yè)
環(huán)球晶圓今年持續(xù)強化在化合物半導體的布局,預估今年碳化硅(SiC)產(chǎn)能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產(chǎn)能的提升,再加上電動車的需求相比之前稍有緩解,今年SiC襯底價格會面臨下滑的壓力。展望未來,環(huán)球晶圓本身制造上的良率提高,成本也隨之下降,對毛利率的影響不大,加上環(huán)球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內(nèi)文]

英飛凌再添一家SiC材料供應商

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 11 日 15:07 |
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全球半導體巨頭英飛凌,近日再次擴大其碳化硅(SiC)供應商朋友圈。 1月9日,英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓,用于SiC半導體的生產(chǎn)。...  [詳內(nèi)文]