天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請公布號為CN117393605A，申請日期為2023年11月7日。
圖片來源：拍信網正版圖庫
該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC襯底；N-外延層，所述N-外延層位于所述SiC襯底之上；有源區(qū)，所述有源區(qū)為多個，多個所述有源區(qū)相間隔地排布于所述N-外延層之上；JFET區(qū)，所述JFET區(qū)位于所述N-外延層之上，且位于兩個相鄰的的所述有源區(qū)之間，所述JFET區(qū)內設有淺溝槽結構，所述淺溝槽結構設有固定深度，所述淺溝槽結構與所述有源區(qū)之間設有固定距離；多晶硅柵層，所述多晶硅柵層位于所述有源區(qū)和所述JFET區(qū)之上；隔離層，所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上；金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發(fā)明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時，抑制短溝效應，防止MOSFET器件被擊穿。
資料顯示，宏微科技成立于2006年8月，從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發(fā)、生產和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案，主要產品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。
近年來，宏微科技在SiC領域進展較快。2023年3月，宏微科技在接受機構調研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。
2023年11月，宏微科技在接受機構調研時稱，SiC MOS已實現樣品產出，預計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項目時，宏微科技表示，公司用于液冷充電樁的SiC器件產品正在開發(fā)階段，預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。
隨后在12月，宏微科技再次對SiC業(yè)務進展情況進行了介紹。宏微科技稱，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經逐步定型和小批量。
據宏微科技介紹，公司主要的SiC產品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領域的混封產品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產品，2024年預計會有較大幅度的增長。（集邦化合物半導體整理）
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