近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術，目標瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同一功率模塊，在實現(xiàn)效率最大化的同時，為碳化硅 (SiC) 解決方案提供了更具成本效益的替代選擇。
CGD創(chuàng)始人兼CEO Giorgia Longobardi 博士表示：”當前新能源車主驅逆變器要么采用低成本但輕載效率低的IGBT，要么選擇高性能但昂貴的SiC器件。我們全新的Combo ICeGaN 解決方案通過巧妙融合GaN與IGBT技術的優(yōu)勢，將徹底革新電動汽車產(chǎn)業(yè)——在降低系統(tǒng)成本的同時保持最優(yōu)的能效水平，這意味著更快的充電速度與更長的續(xù)航里程。”（集邦化合物半導體整理）
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