文章分類： 氮化鎵GaN

GaN上車提速，納微、英諾賽科等12大廠商誰跑得更快？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 10:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著世界各地脫碳行動加速提上日程，電動汽車行業(yè)發(fā)展如日中升。盡管短期內，電動汽車的銷量仍受疫情、地緣政治等不穩(wěn)定因素的影響，但部分地區(qū)得益于供需關系改善，近期汽車行業(yè)產銷兩旺，如中國市場。 根據中國汽車工業(yè)協會數據顯示，6月中國電動汽車滲透率為23.8%，產量和銷售分別是59萬輛...  [詳內文]

多元化GaN設計，市場進入高速成長期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 04 日 16:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN
功率半導體市場持續(xù)成長 GaN最具爆發(fā)力 全球電力設備數量與規(guī)格不斷提升，帶動功率半導體需求持續(xù)成長，且在第三類半導體材料導入下，整體市場蓬勃發(fā)展；其中，全球GaN功率半導體市場規(guī)模預計從2021年1.1億美元成長到2025年13.2億美元，CAGR達86%。因基期較低，GaN成...  [詳內文]

第三代半導體作為西部重點，深圳發(fā)展計劃即將發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 30 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
深圳是中國重要的電子技術中心，多年來十分重視集成電路產業(yè)的發(fā)展，旨在培育產業(yè)集聚區(qū)，打通上下游產業(yè)鏈，形成產業(yè)協同聯動效應。其中，第三代半導體作為近幾年的新興技術，也已經成為政府重點培育的產業(yè)之一，相關利好政策不斷出臺。 近日，深圳舉辦了2022中國（深圳）集成電路峰會，會上透露...  [詳內文]

比亞迪投資了第三代半導體設備廠邑文科技

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 26 日 17:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查官網顯示，12月23日，無錫邑文電子科技有限公司（以下簡稱：邑文科技）發(fā)生工商變更，新增比亞迪等新股東，注冊資本變更為1947.6655萬元。 邑文科技成立于2011年3月，專注于半導體前道工藝設備的研發(fā)、制造，主要產品為刻蝕工藝設備和薄膜沉積工藝設備，應用于半導體（IC及...  [詳內文]

應用材料將建下一代半導體設備研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，應用材料宣布，計劃在美國的創(chuàng)新基礎設施上投資數十億美元，并從現在到2030年擴大其全球制造能力。 該公司計劃在加州森尼維爾建立下一代基礎半導體技術和工藝設備研發(fā)中心，其規(guī)模將取決于政府的支持。這項投資計劃于2023年初在硅谷啟動。 此外，該公司還在對其全球各地的基礎設施進行...  [詳內文]

55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點研發(fā)計劃立項資助名單。55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導體GaN開展超寬帶射頻功率管的設計與制造研究，計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實現寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應用，為...  [詳內文]

英諾賽科出貨量破億

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據外媒報道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據化合物半導體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產線自2019年開始大規(guī)模生產，并于2021年成為全球首家實現8英寸硅基GaN量產的企業(yè)，產能足以支撐全球市場對GaN FETs的強勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內文]

銘鎵半導體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術領域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱：銘鎵半導體）使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業(yè)化公司。 銘...  [詳內文]

國產氮化鎵外延龍頭晶湛半導體再獲數億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成數億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。 本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領投，華興資本旗下華興新經濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內文]

EPC公司攜手世界先進，發(fā)力8英寸GaN功率半導體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進（VIS）簽訂了一項GaN功率半導體多年生產協議。根據協議，EPC公司將從2023年初開始使用世界先進的8英寸晶圓制造平臺，生產高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據介紹，EPC的GaN器件...  [詳內文]