4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。
報道稱，在750V碳化硅功率芯片項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開展聯(lián)合攻關(guān)，推動碳化硅功率芯片技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，目前已進(jìn)入產(chǎn)品級測試階段；
而在2in1碳化硅功率模塊項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料開展聯(lián)合攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設(shè)計(jì)與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的全流程自主創(chuàng)新，為碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化打下基礎(chǔ)。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)了解，圍繞國家科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展重大戰(zhàn)略需求，中國電科積極承擔(dān)事關(guān)國家安全、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和核心競爭力的重大任務(wù)，在關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和前沿顛覆性技術(shù)布局上取得突出成效。其中，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國電科捷報頻傳。
中國電科13所自2004年開始對碳化硅材料、器件進(jìn)行工藝研究，于2017年實(shí)現(xiàn)4英寸碳化硅電力電子工藝線批產(chǎn)供貨、2019年又采用改擴(kuò)建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。2022年9月，13所技術(shù)團(tuán)隊(duì)又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產(chǎn)品開發(fā)，產(chǎn)品指標(biāo)均可對標(biāo)國際一線品牌。
2022年2月，中國電科2所激光剝離項(xiàng)目取得突破性進(jìn)展，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離。
2022年7月，中國電科45所宣布所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設(shè)備已進(jìn)入國內(nèi)主流FAB廠。據(jù)悉，該整線設(shè)備滿足8英寸90nm～130nm工藝節(jié)點(diǎn)，適用于8～12英寸BCD芯片工藝中的濕化學(xué)制程。
2022年9月，央視《非凡十年看名企》專題報道了55所在碳化硅器件領(lǐng)域取得的重要突破，以及產(chǎn)品在新能源汽車上批量應(yīng)用情況。據(jù)央視財經(jīng)當(dāng)時消息，中國電科的碳化硅器件裝車量已經(jīng)達(dá)到100萬臺，旗下企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了6英寸碳化硅晶片的規(guī)?；a(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)到15萬片，處于國內(nèi)前列。2022年3月還率先發(fā)布了新一代8英寸碳化硅晶片產(chǎn)品。
而在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設(shè)備端，中國電科48所以外延、注入、氧化、激活等專用裝備為核心，結(jié)合立式擴(kuò)散爐、PVD等通用設(shè)備和半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線建線經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)國內(nèi)唯一從碳化硅外延到芯片核心設(shè)備的全覆蓋，進(jìn)一步助力國產(chǎn)碳化硅芯片制造“換道超車”。（化合物半導(dǎo)體市場 Winter整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。