作為化合物半導(dǎo)體材料，InP（磷化銦）半導(dǎo)體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領(lǐng)域具有波長(zhǎng)1000nm以上的發(fā)射和探測(cè)能力，同時(shí)在高頻射頻應(yīng)用中的具有高速和低噪聲優(yōu)勢(shì)。 本文主要圍繞InP最為關(guān)鍵的光子元件應(yīng)用市場(chǎng)進(jìn)行深入探討。
InP以其獨(dú)特的材料特性，將長(zhǎng)期活躍于數(shù)據(jù)通訊和電信市場(chǎng)。與此同時(shí)，隨著IPhone14 Pro及AirPod 3首次實(shí)現(xiàn)InP光子元件的搭載，InP消費(fèi)類應(yīng)用也在快速發(fā)展，另外車載激光雷達(dá)亦為未來潛力市場(chǎng)之一。
但值得注意的是，當(dāng)前InP襯底材料、外延片以及高端光芯片仍被歐美日廠商高度壟斷，而光模塊等下游廠商則數(shù)量較多，競(jìng)爭(zhēng)亦相當(dāng)激烈。
InP產(chǎn)業(yè)鏈上游包括襯底及外延材料，InP襯底主要供應(yīng)商為AXT、JX NMM、Sumitomo Electric，外延片則由聯(lián)亞光電、IQE、全新光電等提供。
主要章節(jié) ●●
1、數(shù)據(jù)通信與電信市場(chǎng)引領(lǐng)InP產(chǎn)業(yè)發(fā)展，消費(fèi)類應(yīng)用蘊(yùn)藏潛力。
2、InP襯底與外延工藝復(fù)雜困難，市場(chǎng)高度集中。
3、高速率光芯片以美日廠商主導(dǎo)，光模塊市場(chǎng)中國(guó)發(fā)展迅速。
4、關(guān)鍵廠商分析
5、拓墣觀點(diǎn)
圖表資料 ●●
1、InP材料應(yīng)用市場(chǎng)
2、InP光子元件市場(chǎng)規(guī)模
3、InP半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
4、2020年InP襯底市場(chǎng)份額
5、2021年全球光模塊市場(chǎng)份額
6、AXT季度營(yíng)收
7、聯(lián)亞光電季度營(yíng)收
8、Coherent 2022財(cái)年部門營(yíng)收占比