近日，格力電器在芯片領域的戰(zhàn)略布局迎來關鍵性人事調(diào)整與技術突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產(chǎn)品不僅實現(xiàn)內(nèi)部批量使用，更已為多家芯片設計公司提供晶圓流片制造服務，這標志著格力在第三代半導體戰(zhàn)略已正式進入量產(chǎn)階段。
與此同時，格力電器董事長兼總裁董明珠卸任格力電器全資子公司珠海零邊界集成電路有限公司（以下簡稱“零邊界”）的法定代表人及董事長職務，由格力電器副總裁李紹斌接任。
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格力電器在芯片研發(fā)方面有著明確的戰(zhàn)略規(guī)劃。公開資料顯示，格力電器最早在2015年便開始布局芯片研究，最初從硅基芯片入手，逐步積累技術經(jīng)驗。2018年起，格力陸續(xù)參與多個碳化硅項目，正式進軍第三代半導體領域。其投資30億元參與聞泰科技收購安世半導體，布局功率芯片；注資湖南國芯半導體，瞄準IGBT和碳化硅；認購三安光電20億元定增，切入LED芯片。
同年，格力正式成立珠海零邊界微電子有限公司，專攻工業(yè)級MCU、AIoT芯片。零邊界并非一家傳統(tǒng)的初創(chuàng)公司，它脫胎于格力通信技術研究院的微電子所和功率半導體所，是格力電器實現(xiàn)芯片自主可控戰(zhàn)略的核心載體。其業(yè)務涵蓋廣泛，包括工業(yè)級32位MCU、AIoT SoC芯片和功率器件的設計研發(fā)、軟件方案、系統(tǒng)應用、生產(chǎn)質(zhì)量及市場銷售。
在產(chǎn)品方面，零邊界已推出了EP系列功率器件，覆蓋600V和1200V電壓平臺的高可靠性Trench Field-Stop IGBT、FRD（快恢復二極管）和IPM（智能功率模塊）。更值得一提的是，2024年，零邊界承擔的“空調(diào)主控芯片國產(chǎn)化”項目取得突破，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)應用，為格力電器核心家電產(chǎn)品的國產(chǎn)化替代提供了堅實支撐。
2025年6月，董明珠卸任珠海零邊界集成電路有限公司法定代表人及董事長職務，由格力電器副總裁李紹斌接任。?這一調(diào)整標志著零邊界將進入更為獨立和專業(yè)化的市場運營階段，有助于其在競爭激烈的芯片市場中靈活應變并加速發(fā)展。
格力在SiC芯片領域的雄心，體現(xiàn)在其全球領先的制造能力上。位于珠海高新區(qū)的6英寸SiC芯片工廠是亞洲首座全自動化IDM（垂直整合制造）工廠，從2022年7月奠基至2024年12月通線僅用388天。這座投資55億元、占地20萬平方米的工廠規(guī)劃年產(chǎn)24萬片SiC晶圓，目前良率穩(wěn)定在99.6%，且單片制造成本較行業(yè)平均水平低18%，這為格力SiC芯片的成本控制和市場競爭力奠定了堅實基礎。
格力自研的SiC芯片已在家用空調(diào)中實現(xiàn)規(guī)模化應用，裝機量突破100萬臺，顯著提升了空調(diào)的能效和性能。此外，格力正積極將SiC技術延伸至新能源汽車、光伏儲能等更廣闊領域。例如，其“無稀土+碳化硅”技術矩陣在深圳地鐵12號線應用，預計每年可節(jié)電1500萬元。
格力計劃在2025年將SiC芯片推廣應用至光伏逆變器和電動汽車等核心領域。通過自建SiC芯片工廠，格力成功整合了SiC材料、器件、應用等環(huán)節(jié)，形成了強大的內(nèi)部協(xié)同效應，有效降低了成本并提升了供應鏈穩(wěn)定性。同時，格力還與華為等企業(yè)合作，探索SiC芯片在更多場景的創(chuàng)新應用。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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