近期，超芯星公司宣布正式推出#方形碳化硅散熱晶片，旨在為人工智能、汽車電子、能源管理等多種領(lǐng)域的合作伙伴，提供更直接、更高效、更貼合設(shè)計需求的散熱襯底選擇。
超芯星表示，傳統(tǒng)圓形襯底在先進封裝中面臨邊緣利用不足、熱分布不均的挑戰(zhàn)。
為此，超芯星正式推出方形結(jié)構(gòu)晶片。其契合芯片矩形布局，減少邊緣浪費，提升單位面積散熱效能；熱量得以更均勻、更快速地由中心向四邊擴散，避免局部熱點；尤其適合對集成度與散熱有嚴苛要求的高功率模塊、先進封裝及下一代電力電子器件。
資料顯示，超芯星成立于2019年4月，專注于第三代半導體碳化硅（SiC）襯底全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)與生產(chǎn)，覆蓋設(shè)備、粉料、晶體生長、晶體加工及晶片檢測全流程。稍早之前，超芯星完成了數(shù)億元C輪融資，進一步鞏固了其在行業(yè)內(nèi)的地位。
今年9月，超芯星宣布成功推出新一代8mΩ·cm低阻碳化硅（SiC）襯底。
目前，超芯星已實現(xiàn)#6英寸車規(guī)級碳化硅襯底 的量產(chǎn)出貨，并與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。
（集邦化合物半導體整理）
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