文章分類： 碳化硅SiC

Wolfspeed宣布：200mm碳化硅材料產品組合開啟大規(guī)模商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 11 日 15:28 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
9月11日“Wolfspeed”官微宣布，Wolfspeed 200mm碳化硅材料產品開啟大規(guī)模商用。 圖片來源：WOLFSPEED 先前在初步向部分客戶提供200mm碳化硅產品之后，市場反響積極且效益顯著，因此Wolfspeed決定開啟大規(guī)模商用，全面推向市場。 Wolfsp...  [詳內文]

國聯(lián)萬眾8英寸碳化硅晶圓產線成功通線

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 11 日 9:58 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司（以下簡稱“國聯(lián)萬眾”）成功實現(xiàn)8英寸碳化硅芯片晶圓工藝線通線。 目前該產線已進入產品優(yōu)化及技術指標提升階段。未來全面投產后，有望大幅提升產能與良率，進一步滿足新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)電源等領域的旺盛需求。 資料顯示，國聯(lián)萬眾是中瓷電子的子...  [詳內文]

國內12英寸碳化硅再迎新突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 08 日 17:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅，作為第三代半導體的標志性材料，正持續(xù)在新能源汽車、5G通信、軌道交通等國家戰(zhàn)略重點扶持的新興產業(yè)領域中大放異彩，應用范疇不斷拓展。近年來，隨著人工智能、AR眼鏡等前沿新興領域的迅猛崛起，碳化硅所具備的高頻特性、高功率承載能力以及卓越的耐高溫性能等優(yōu)勢愈發(fā)顯著，成為推動這些...  [詳內文]

碳化硅“車友”+1，新款寶馬搭載SiC逆變器

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 05 日 14:09 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，在2025成都車展上，新款寶馬i4 M60迎來正式上市。據(jù)悉，該款寶馬新車搭載的BMW eDrive電驅系統(tǒng)換裝碳化硅逆變器，在效率提升、高溫穩(wěn)定性等方面優(yōu)勢顯著。 圖片來源：寶馬官網 公開資料顯示，新BMW i4 M60其雙電機四驅系統(tǒng)綜合最大功率達到442千瓦（折合6...  [詳內文]

臺積電醞釀碳化硅散熱新突破，X-FAB氮化鎵代工再升級

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 05 日 13:46 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當傳統(tǒng)硅基半導體逐漸觸及物理極限，第三代半導體日益受到重視。碳化硅、氮化鎵等產品不僅在新能源汽車、5G通信以及光伏領域扮演關鍵角色，而且正推動產業(yè)從材料到設備、制造等領域的改革，吸引各路廠商積極布局。近期，臺積電、X-FAB兩家公司傳出新進展。 臺積電：計劃將12英寸單晶碳化硅應...  [詳內文]

國內碳化硅大廠半年報出爐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:13 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，天岳先進公布2025年上半年業(yè)績報。上半年該公司實現(xiàn)營業(yè)收入7.94億元，同比下降12.98%；歸母凈利潤1088.02萬元，同比下降89.32%。 圖片來源：天岳先進公告截圖 天岳先進表示，上半年公司為持續(xù)提升碳化硅襯底材料在下游應用的滲透率、提高產品市場占有率，襯底銷...  [詳內文]

超芯星推出8mΩ·cm低阻碳化硅襯底！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 03 日 14:28 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
江蘇超芯星半導體有限公司（Hypersics Co.,Ltd）近日宣布成功推出新一代8mΩ·cm低阻碳化硅（SiC）襯底。該產品憑借零TSD缺陷和極低的BPD密度（53個/cm2）的卓越晶質，為下游客戶帶來了顯著的四大核心變革。 圖片來源：超芯星官微截圖 據(jù)悉，超芯星此次推出新...  [詳內文]

這家公司宣布進軍12吋碳化硅！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 03 日 14:26 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著電動車、新能源及AI服務器等領域對高功率、高可靠性半導體需求的持續(xù)攀升，第三代半導體的重要性凸顯。中國臺灣地區(qū)加速發(fā)力，積極布局。近日格棋化合物半導體宣布將加速布局12吋碳化硅。 格棋：進軍12吋碳化硅 據(jù)科技新報報道，9月2日，格棋化合物半導體宣布將往大尺寸碳化硅布局。董事...  [詳內文]

漢磊投控啟動SiC產能倍增計劃！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 02 日 14:58 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
中國臺灣化合物半導體代表廠商漢磊先進投資控股在八月召開業(yè)績說明會時披露，已正式啟動新一輪的產能倍增與技術深化計劃。 圖片：漢磊控股 漢磊投控董事長黃民奇表示，我們的目標不僅是擴大產能，更是要透過深度的垂直整合，為全球頂尖客戶提供一個兼具彈性、質量與成本優(yōu)勢的非IDM（整合元件制...  [詳內文]

湖南三安碳化硅器件領域實現(xiàn)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 29 日 14:21 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日媒體報道，湖南三安半導體（以下簡稱“湖南三安”）于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技術平臺，在碳化硅功率器件領域實現(xiàn)重大技術突破。 湖南三安Trench MOSFET技術平臺導通電阻最低達1.75 mΩ·cm2，擊穿電壓超過1400V，核心靜態(tài)性能處于行業(yè)...  [詳內文]