文章分類： 企業(yè)

北方華創(chuàng)2023年業(yè)績(jī)預(yù)增，凈利潤(rùn)約超36億

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 17 日 10:22 |
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1月15日晚，北方華創(chuàng)發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收209.7億元~231億元，同比增長(zhǎng)42.77%~57.27%；歸母凈利潤(rùn)約為36.10億元~41.50億元，同比增長(zhǎng)53.44%~76.39%；扣非凈利潤(rùn)33億元~38億元，同比增長(zhǎng)56.69%~80.43%。 圖片 北...  [詳內(nèi)文]

擴(kuò)產(chǎn)SiC，三菱電機(jī)300億日元債券獲投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 17 日 8:25 |
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1月15日，日本索尼銀行發(fā)布消息稱，該銀行已經(jīng)對(duì)三菱電機(jī)發(fā)行的綠色債券進(jìn)行了投資。據(jù)悉，該綠色債券由三菱電機(jī)于2023年12月18日發(fā)行，年限為5年，發(fā)行額度為300億日元（約合14.75億人民幣），籌集資金將用于三菱電機(jī)的SiC功率半導(dǎo)體制造的設(shè)備投資、研發(fā)以及投融資。 so...  [詳內(nèi)文]

飛仕得SiC測(cè)試設(shè)備成功認(rèn)定浙江省首臺(tái)（套）裝備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 17:50 |
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1月15日，杭州飛仕得科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“飛仕得”）官微發(fā)文稱，公司的SiC器件智能動(dòng)態(tài)測(cè)試裝備成功入選并被認(rèn)定為浙江省首臺(tái)（套）裝備。 據(jù)介紹，SiC器件智能動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備是飛仕得總結(jié)10多年SiC MOSFET/IGBT應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)開發(fā)的功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，并經(jīng)歷了...  [詳內(nèi)文]

新增訂單約83.6億，中微公司2023年凈利預(yù)增超45%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 17:24 |
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1月14日，中微公司發(fā)布2023年年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，公司預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同比增長(zhǎng)約32.1%。其中，2023 年刻蝕設(shè)備銷售約 47.0 億元，同比增長(zhǎng)約 49.4%；MOCVD 設(shè)備銷售約 4.6 億元，同比下降約 34.0%...  [詳內(nèi)文]

宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 18:05 |
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天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開一項(xiàng)“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117393605A，申請(qǐng)日期為2023年11月7日。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率...  [詳內(nèi)文]

投資近20億，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將建新工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 18:00 |
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1月15日消息，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將在日本廣島縣建設(shè)一家工廠，生產(chǎn)用于加工晶圓的一種組件。Disco預(yù)計(jì)投資超過400億日元（約合19.78億人民幣），計(jì)劃最早于2025年開始建設(shè)。新工廠將生產(chǎn)用于切割、研磨和拋光過程的切割輪，到2035年，該公司的產(chǎn)能將提高14倍。 ...  [詳內(nèi)文]

芯片材料廠Resonac欲收購(gòu)光刻膠巨頭股份

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 15 日 17:45 |
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日本芯片材料廠商Resonac的首席執(zhí)行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業(yè)的另一輪整合做準(zhǔn)備，并表示公司可能會(huì)出手收購(gòu)JSR的關(guān)鍵股份。 Hidehito Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購(gòu)全球最大光刻膠制造商JSR，這...  [詳內(nèi)文]

日本DISCO推出新型SiC切割設(shè)備，速度提高10倍

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè)
日本晶圓設(shè)備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅（SiC）切割設(shè)備DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可將SiC晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。 source：DISCO 據(jù)介紹，SiC材質(zhì)偏硬加工難度較大，DDS2020晶圓切割設(shè)備采用了新的斷...  [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會(huì)被瑞薩電子選中？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:04 |
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1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約24.27億人民幣）。 source：瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓已與客戶簽合作長(zhǎng)約，持續(xù)強(qiáng)化SiC布局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 16:20 |
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環(huán)球晶圓今年持續(xù)強(qiáng)化在化合物半導(dǎo)體的布局，預(yù)估今年碳化硅（SiC）產(chǎn)能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產(chǎn)能的提升，再加上電動(dòng)車的需求相比之前稍有緩解，今年SiC襯底價(jià)格會(huì)面臨下滑的壓力。展望未來，環(huán)球晶圓本身制造上的良率提高，成本也隨之下降，對(duì)毛利率的影響不大，加上環(huán)球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內(nèi)文]