乾照光電和武漢大學研究人員表示，他們在4英寸p型硅襯底上開發(fā)出高功率，可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他們使用具有SiO 2電流阻擋層的優(yōu)化金屬化方案實現(xiàn)了這一目標。此外，通過KOH濕法刻蝕對VLED的發(fā)射表面進行表面紋理處理，提高光提取效率。
沉積的金屬化方案會在潮濕的環(huán)境中彎曲并分層，這是VLED可靠性的主要關(guān)注的問題。在這項發(fā)表在《光學快報》上的研究中，研究人員證明，通過在Ag / TiW薄膜周圍沉積Pt / Ti保護層來保護界面免受環(huán)境濕度的影響，可以提高金屬化可靠性。
金屬觸點吸收的光是LED中光損耗源的一種來源。然而，由于半導體層的非理想導電性，大多數(shù)電流擁擠在電極附近，導致在電極焊盤周圍的發(fā)射局部化。
研究人員表明，通過在p電極下插入SiO 2電流阻擋層可以大大緩解“電流擁擠” 。仿真結(jié)果表明，采用SiO 2電流阻擋層時，電流分布更加均勻。
研究人員還利用KOH濕法化學蝕刻技術(shù)對VLED的發(fā)射表面進行紋理化處理，以提高光提取效率。使用KOH溶液濕法刻蝕后，高度集成的表面紋理包括周期性的半球形凹痕和六邊形金字塔。時域有限差分(FDTD)模擬表明，這種表面形態(tài)不僅減少了菲涅耳反射，而且使光以較寬的分布向外散射，從而提高了光提取效率。（來源：化合物半導體）
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