全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢針對2022年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，整理十大科技趨勢，精彩內(nèi)容請見下方：
主動式驅(qū)動方案將成為Micro/MiniLED顯示器發(fā)展趨勢
2022年Micro LED技術(shù)雖然存在許多瓶頸，以至于整體成本居高不下，但參與Micro LED上中下游廠商依舊熱度不減，積極建立Micro LED生產(chǎn)線，在Micro LED自發(fā)光顯示應用產(chǎn)品方面，電視產(chǎn)品是目前Micro LED顯示技術(shù)主要開發(fā)的產(chǎn)品之一，最主要的原因是電視相較于IT產(chǎn)品其規(guī)格門檻較低，有利于Micro LED技術(shù)的發(fā)展，因此，三星推出110英寸商業(yè)型Micro LED被動式驅(qū)動方案的顯示器后，預估將持續(xù)發(fā)展88英寸以下家庭用主動式驅(qū)動方案的電視，亦即由大型顯示商業(yè)應用延伸至家庭場景的應用，進而擴展Micro LED整體應用的市場。
MiniLED背光顯示應用產(chǎn)品方面，品牌廠商為了增加顯示器新亮點，追求百萬等級的高對比度，以對比OLED的顯示效果，欲提高MiniLED背光燈板上的使用顆數(shù)，因此，MiniLED的使用顆數(shù)與傳統(tǒng)背光LED使用量相比將有10倍以上的成長，而在MiniLED SMT打件到背板上的設備精度及產(chǎn)能相對也需要提升，現(xiàn)下MiniLED背光源以被動式驅(qū)動方案為主，未來將朝向主動式驅(qū)動方案發(fā)展，MiniLED使用量將大幅成長，故SMT打件設備的性能及產(chǎn)能，將成為品牌廠商評斷供應鏈的關鍵因素之一。
AMOLED技術(shù)工藝再精進與屏下鏡頭革新，再掀手機新風貌
AMOLED在供應增加，以及產(chǎn)能逐漸擴增下，技術(shù)逐漸成熟。為保持領先優(yōu)勢，一線廠商仍試圖增加更多功能與規(guī)格，以提升AMOLED面板的附加價值。首要可以看到持續(xù)進化的折疊設計，在輕薄與省電效益上更加優(yōu)化; 除了過去看到的左右折疊設計外，上下折疊類似Clamshell設計的方式，讓產(chǎn)品形態(tài)更貼近現(xiàn)行的手機設計，此外, 定價也貼近主流旗艦手機的價格區(qū)間，可望帶動銷售成長。其他折疊形態(tài)的嘗試，包括多折式與卷軸式, 在不遠的將來也可望獲得實現(xiàn)，TrendForce集邦咨詢預期，折疊手機滲透率在2022年將突破1%，2024年挑戰(zhàn)4%。此外，LTPO背板的搭載，將改善在5G傳輸以及高刷新率規(guī)格而衍生的耗電問題，預期將逐步成為旗艦機的標準規(guī)格。而經(jīng)過了兩年的開發(fā)與調(diào)整后，屏下鏡頭模組終于有機會在眾品牌的旗艦手機上陸續(xù)亮相，可望實現(xiàn)真正的全屏幕手機。
晶圓代工制程迎來革新，臺積電、三星3納米分別采用FinFET及GAA技術(shù)
在半導體制程逐漸逼近物理極限的限制下，芯片發(fā)展須通過“晶體管架構(gòu)的改變”，以及“后段封裝技術(shù)或材料突破”等方式，以持續(xù)達成提高效能、降低功耗及縮小芯片尺寸的目的。在2018年自7納米制程首度導入EUV微影技術(shù)后，2022年晶圓代工制程技術(shù)迎來另一大革新，亦即臺積電（TSMC）及三星（Samsung）計劃于2022下半年發(fā)表的3納米制程節(jié)點。前者在3納米制程選擇延續(xù)自1X納米以來所采用的鰭式場效晶體管架構(gòu)（FinFET），三星則首先導入基于環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）的MBCFET架構(gòu)（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor）。
相較FinFET的三面式包覆，GAA為四面環(huán)繞閘極，源極（Source）及汲極（Drain）通道由鰭式立體版狀結(jié)構(gòu)改用納米線（Nanowire）或納米片（Nanosheet）取代，借以增加閘極（Gate）與通道的接觸面積，加強閘極對通道的控制能力，有效減少漏電的現(xiàn)象。從應用別來看，預計于2022下半年量產(chǎn)的3納米制程首批產(chǎn)品仍主要集中在對提高效能、降低功耗、縮小芯片面積等有較高要求的高效能運算和智能手機平臺。
DDR5產(chǎn)品將逐漸進入量產(chǎn)，NAND Flash堆棧技術(shù)將超越200層
在DRAM方面，三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）將逐漸量產(chǎn)次世代DDR5產(chǎn)品，同時藉著5G手機需求的刺激，持續(xù)提升LPDDR5市占。DDR5規(guī)格將速度拉至4800Mbps以上，高速度、低功耗的特性可大幅優(yōu)化運算質(zhì)量，隨著英特爾（Intel）新CPU平臺的量產(chǎn)開展，時序上將先在PC平臺發(fā)表Alder Lake，再發(fā)表服務器的Eagle Stream，預估2022年底將達到總位元產(chǎn)出10~15%。制程上，兩大韓系供應商陸續(xù)量產(chǎn)使用EUV技術(shù)的1 alpha 納米制程產(chǎn)品，市場能見度將在2022年逐季提升。
NAND Flash堆棧層數(shù)尚未面臨瓶頸；繼2021年176層產(chǎn)品量產(chǎn)，2022年將邁向200層以上技術(shù)，而單晶片容量仍維持512Gb/1Tb。在儲存界面上，2022年PCIe Gen4滲透率在PC消費級市場將出現(xiàn)大幅成長；而在服務器市場隨著Intel Eagle Stream的量產(chǎn)，enterprise SSD將進一步升級支援PCIe Gen 5傳輸，較前一代Gen4傳輸速率增倍至32GT/s，主流容量也擴增以4/8TB為主，以滿足服務器與數(shù)據(jù)中心高速運算需求，也有助于單機搭載容量在該領域的快速提升。
以服務器市場來看，數(shù)據(jù)中心彈性的價格策略與服務的多元性，直接驅(qū)動近兩年企業(yè)對于云端應用需求；若以服務器供應鏈角度分析，這些轉(zhuǎn)變已促使供應鏈模式由ODM Direct代工逐漸取代傳統(tǒng)服務器品牌廠的商業(yè)模式，而既有品牌廠業(yè)務模式將面臨結(jié)構(gòu)性的轉(zhuǎn)換，如提供租賃業(yè)務與一站式方案的上云輔助等等。此轉(zhuǎn)變更意味著，企業(yè)客戶仰賴更為彈性多元的計價方式，與面對大環(huán)境不確定性的避險作為。尤其，2020年因疫情更加速了工作方式的轉(zhuǎn)變，與生活型態(tài)大幅改變，預期至2022年超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對于服務器的需求占比大約50%；而ODM Direct代工模式將讓出貨比重成長逾10%。
2022年5G擴大SA網(wǎng)絡切片和低延遲應用比例，將進行廣泛試驗
全球電信運營商積極推出5G獨立組網(wǎng)(SA)架構(gòu)作為支援各式服務所需之核心網(wǎng)絡，加快推進主要城市基站建置，以網(wǎng)絡切片、邊緣運算為基礎，使網(wǎng)絡服務多元化，提供端到端質(zhì)量保障。2022年企業(yè)需求將推動5G結(jié)合大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)（Massive IoT）和關鍵物聯(lián)網(wǎng)（Critical IoT）應用，包括更多網(wǎng)絡端點連接數(shù)據(jù)傳輸，如智能工廠燈光開關、傳感器與溫度讀數(shù)等。關鍵物聯(lián)網(wǎng)則涵蓋智能電網(wǎng)自動化、遠端醫(yī)療、交通安全與工業(yè)控制等，另結(jié)合工業(yè)4.0案例，提供資產(chǎn)追蹤、預測性維護、現(xiàn)場服務管理和優(yōu)化物流處理。
疫情迫使企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型、個人生活型態(tài)改變，再次凸顯5G部署重要性，2022年運營商將通過網(wǎng)絡切片功能進行競爭，由于5G專網(wǎng)、openRAN、未授權(quán)頻譜、毫米波等發(fā)展，因而出現(xiàn)多方生態(tài)系統(tǒng)，除傳統(tǒng)運營商外，更有來自OTT、云、社群媒體、電商業(yè)者參與，成為新興服務提供商。未來運營商將積極建立5G企業(yè)應用，如O2參與5G-ENCODE項目，探索工業(yè)環(huán)境中專用5G網(wǎng)絡之新業(yè)務模型，及Vodafone和Midlands Future Mobility聯(lián)盟合作測試自駕車聯(lián)網(wǎng)。
低軌衛(wèi)星成全球衛(wèi)星運營商新戰(zhàn)場，3GPP亦首度納入非地面波通訊
第三代合作伙伴計劃（3GPP）首度發(fā)布，將于2022年Release 17凍結(jié)版本，首度納入非地面波（NTN；Non-terrestrial Network）通訊，作為3GPP標準一部分，對于移動通訊產(chǎn)業(yè)與衛(wèi)星通訊產(chǎn)業(yè)，皆為非常重要里程碑。此前，移動通訊與衛(wèi)星通訊系為兩個獨立發(fā)展產(chǎn)業(yè)，故同時跨足兩個產(chǎn)業(yè)之上中下游廠商皆相異，然在3GPP納入NTN后，兩者產(chǎn)業(yè)鏈不僅有更多互動合作機會，且有望打造全新產(chǎn)業(yè)格局。于低軌衛(wèi)星積極部署之際，尤以美國SpaceX申請發(fā)射數(shù)量為最大宗，其他主要衛(wèi)星運營商包含美國Amazon、英國OneWeb、加拿大Telesat等，全球衛(wèi)星發(fā)射數(shù)量以美國營運商持有數(shù)最高占全球逾50%；低軌衛(wèi)星通訊強調(diào)訊號覆蓋不受地形限制，如山區(qū)、海上、沙漠等，且可與移動通訊5G作互補，此亦為3GPP Rel-17制定NTN規(guī)劃之應用方向，預期2022年全球衛(wèi)星市場產(chǎn)值將有望受惠提升。
從數(shù)字孿生打造元宇宙，智能工廠將為首發(fā)場域
疫后新常態(tài)持續(xù)推升非接觸與數(shù)字化轉(zhuǎn)型需求，使物聯(lián)網(wǎng)在2022年聚焦強化虛實整合系統(tǒng)（Cyber-Physical System,；CPS），通過結(jié)合5G、邊緣運算、AI等工具，從海量數(shù)據(jù)萃取有價資料加以分析，以達智動自主預測之效?，F(xiàn)階段CPS實例中，數(shù)字孿生（Digital Twin）被用于智能制造、智能城市等關鍵垂直領域，前者可模擬設計測試與生產(chǎn)流程，后者多監(jiān)控重點資產(chǎn)及決策輔助。在現(xiàn)實環(huán)境越趨復雜、更多場域與設備交互影響須考量的趨勢下，將促使數(shù)字孿生擴大部署范圍，若再輔以3D感測、VR/AR等遠端作業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)來年有望以打造全面性的虛擬空間-元宇宙（Metaverse）為發(fā)展架構(gòu)，以期更智能、完整、實時且安全的鏡射物理世界，并以智能工廠為首發(fā)場域；此亦將帶動感測層視覺、聲學、環(huán)境等信息搜集、平臺層AI精準分析算力、以及確保數(shù)據(jù)可信的區(qū)塊鏈等技術(shù)革新。
導入AI運算及增加傳感器數(shù)量，AR/VR力拼全面沉浸式體驗
疫情下，改變了人們生活與工作情境，加速企業(yè)投入數(shù)字化轉(zhuǎn)型的意愿，并嘗試導入新科技，因而虛擬會議、AR遠端協(xié)作、模擬設計等新形態(tài)AR/VR應用的采用率也隨著提高；另一方面除了游戲應用外，虛擬社群帶來的各種遠端互動功能也將成為廠商發(fā)展AR/VR市場的重要應用。因此在硬件采取低價策略、以及應用情境接受度提高的情況下，2022年AR/VR市場會出現(xiàn)明顯的擴張，并促使市場追求更加真實化的AR/VR效果。例如，通過軟件工具打造影像更擬真的應用服務，引入AI運算進行輔助，或是搭載更多種類的傳感器，以提供更多真實數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為虛擬反應，例如眼球追蹤功能就成為Oculus、Sony等廠商在未來消費產(chǎn)品上的搭載選項。此外，甚至可以在控制器或穿戴裝置等硬件上提供部分觸覺反饋效果，以提高使用者的沉浸感。
自動駕駛解決痛點，自動泊車（AVP）將成熱門發(fā)展功能
自動駕駛技術(shù)將以貼近生活面的方式實現(xiàn)，預期符合SAE Leve4的無人自動泊車(AVP)功能，將在2022年開始成為高端車款上配載自動駕駛功能的重要選項，而相關的國際標準也在制定中，對此功能的發(fā)展有正面助益。但該功能會因車輛搭載配備而異，產(chǎn)生固定/非固定路線、私人/公開停車格等場景限制，停車場的條件也會影響AVP的可用性，包括標示完整性和聯(lián)網(wǎng)環(huán)境等，執(zhí)行該功能時人與車的距離則與當?shù)胤ㄒ?guī)有關。由于各車廠的技術(shù)路線皆不相同，運算部分可分為由車端進行運算以及由云端運算生成泊車路線，然云端運算需要有良好的聯(lián)網(wǎng)環(huán)境方能執(zhí)行，故使用上來說車端運算會覆蓋更多使用場景，或也會有兩者兼具的方案。其他如V2X和高精地圖的搭配應用也會影響自動泊車的應用范圍，預期仍有多種AVP解決方案同時進行中。
除了持續(xù)擴充產(chǎn)能，第三代半導體朝8英寸晶圓及新封裝技術(shù)發(fā)展
在各國將逐步于2025至2050年全面禁售燃油車的趨勢下，將加速全球電動車銷售與拉抬SiC及GaN元件及模組市占，此外，能源轉(zhuǎn)換需求及5G通訊等終端應用快速增長，驅(qū)使第三代半導體市場熱度不減，進而帶動第三代半導體所需SiC及Si基板（Substrate）銷量暢旺。然由于現(xiàn)行基板于生產(chǎn)及研發(fā)上相對受限，迫使目前可穩(wěn)定供貨的SiC及GaN晶圓仍侷限于6英寸大小，使得Foundry及IDM廠產(chǎn)能長期處于供不應求態(tài)勢。
對此，基板供應商如Cree、II-VI及Qromis等計劃將于2022年擴增產(chǎn)能并提升SiC及GaN晶圓面積至8英寸，期望逐漸緩解第三代半導體市場缺口。另一方面，F(xiàn)oundry廠如臺積電與世界先進（VIS）試圖切入GaN on Si 8英寸晶圓制造，以及IDM大廠如英飛凌（Infineon）將發(fā)表新一代Infineon Trench SiC元件節(jié)能架構(gòu)，而通訊業(yè)者Qorvo也針對國防領域提出全新GaN MMIC銅覆晶（Copper Filp Chip）封裝結(jié)構(gòu)。（來源：集邦咨詢）
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