根據(jù)藍馳創(chuàng)投官方消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導體）近日正式完成數(shù)千萬天使輪融資。該輪融資由藍馳創(chuàng)投領投，禹泉資本跟投；融資將用于強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。
據(jù)悉，氧化鎵是一種無機化合物。作為第四代半導體的代表，氧化鎵被視為“替代碳化硅和氮化鎵”的新一代半導體材料，具有禁帶寬度大（4.8 eV）、臨界擊穿場強高（8MV/cm）、導通特性幾乎是碳化硅的10倍、材料生長成本低于第三代半導體等優(yōu)勢，未來有望在通信、雷達、航空航天、高鐵動車、新能源汽車等領域得到應用。
目前，各國半導體企業(yè)正爭先恐后布局氧化鎵。其中，中國已經(jīng)成長為一股不可忽視的力量。
據(jù)韓媒The Elec報道，根據(jù)AnA Patent對韓國、中國、美國、歐洲、日本等6個主要PCT國家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國擁有328件，日本擁有專利313件，兩國專利數(shù)量占總數(shù)的50%以上；而2021年9月至2022年11月新增的460件專利中，也大部分來自中國（240件）和日本（87件）。
今年以來，中國在氧化鎵領域也不斷取得突破：
2月，中國科學技術大學微電子學院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管；
同月，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平；
3月，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。
此次獲得融資的鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。據(jù)了解，鎵仁半導體開創(chuàng)了非導模法氧化鎵單晶生長新技術，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產(chǎn)權的氧化鎵單晶襯底材料。（化合物半導體市場 Winter整理）
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