8月29日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社宣布，已與深圳基本半導體股份有限公司（以下簡稱：基本半導體）就功率模塊產品正式簽署戰(zhàn)略合作協議。
圖片來源：基本半導體
通過將東芝電子元件擁有的先進SiC及IGBT芯片技術，與基本半導體擁有的高性能、高可靠性模塊技術相結合，致力于在全球范圍內提供具有競爭力的產品，以滿足車載及工業(yè)領域快速發(fā)展的需求。
資料顯示，東芝電子元件的功率半導體產品兼具高功率密度與質量穩(wěn)定性，通過提升功率轉換效率，為減少環(huán)境負荷做出了貢獻。其中，SiC MOSFET兼具低導通電阻與高可靠性，而IGBT則具有大電流與高可靠性，兩者均擁有豐富的市場應用案例。
基本半導體是中國SiC功率半導體行業(yè)標桿企業(yè)，積極推進SiC芯片及功率模塊的技術研發(fā)，已向市場推出多款符合車規(guī)級和工業(yè)級產品，被廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能等領域。通過此次戰(zhàn)略合作，加強雙方的市場競爭力，有助于推出更多創(chuàng)新的解決方案。
稍早之前，東芝電子元件已與天岳先進宣布，就天岳先進開發(fā)制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協議。雙方將針對SiC功率半導體特性提升與品質改善的技術協作，以及運用合作成果擴大高品質穩(wěn)定襯底供應的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進或相互協作的具體事項展開詳細磋商。
天岳先進表示，與東芝電子元件達成合作，天岳先進將把SiC功率半導體產品的需求，以及東芝對SiC襯底核心技術應用的期待，轉化為襯底品質與可靠性的提升，助力SiC功率半導體市場發(fā)展。
（集邦化合物半導體 Flora 整理）
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