文章分類： 功率

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 12 日 17:20 |
| 分類: 功率
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導(dǎo)體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

18臺碳化硅整線濕法設(shè)備，創(chuàng)微微電子再次中標

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:07 |
| 分類: 功率
7月9日，光伏設(shè)備大廠捷佳偉創(chuàng)宣布，繼4月份半導(dǎo)體碳化硅整線濕法設(shè)備訂單并完成合同簽署后，近日公司子公司創(chuàng)微微電子（常州）有限公司（以下簡稱：創(chuàng)微微電子）再次斬獲另一家半導(dǎo)體頭部企業(yè)整線濕法設(shè)備訂單，目前已完成合同簽訂工作。 據(jù)介紹，此次簽訂的合同標的位于該客戶新產(chǎn)業(yè)園的碳化硅產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項目通過竣工驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:05 | | 分類: 功率
據(jù)中建八局消息，近日，公司承建的新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項目已竣工，并通過了驗收。 source：中建八局 項目位于上海臨港新片區(qū)總建筑面積約5.8萬平方米，總投資11.6億元，由生產(chǎn)廠房及其配套設(shè)施等6個單體構(gòu)成，著力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測器研發(fā)與生產(chǎn)基地。項目主...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、天域半導(dǎo)體等碳化硅大廠迎最新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 08 日 13:54 |
| 分類: 功率
今年以來，國內(nèi)外碳化硅大廠動態(tài)交織，深刻體現(xiàn)行業(yè)從6英寸過渡到8英寸的加速步伐。 據(jù)外媒消息，意法半導(dǎo)體（ST）近日表示，將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。 中國某頭部大廠生產(chǎn)負責(zé)人在近日接受全球半導(dǎo)體觀察時表示，預(yù)計從2026年至2...  [詳內(nèi)文]

愛思強公布Q2初步業(yè)績，碳化硅&氮化鎵設(shè)備訂單旺盛

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 05 日 18:21 |
| 分類: 功率
昨日（7/4），德國半導(dǎo)體設(shè)備大廠AIXTRON愛思強公布2024年第二季度初步業(yè)績成果。在SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體市場的驅(qū)動下，愛思強設(shè)備訂單報喜。 愛思強第二季SiC/GaN設(shè)備訂單占比達87% 第二季度，愛思強實現(xiàn)訂單總額1.76歐元（約合人民幣13.8...  [詳內(nèi)文]

搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 04 日 15:38 |
| 分類: 功率
目前，第三代半導(dǎo)體是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點，也是各地區(qū)的重點扶持行業(yè)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等頭部廠商順勢而上，加速布局第三代半導(dǎo)體，市場戰(zhàn)火已燃，一場群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。 多方來戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié) 第三代半導(dǎo)體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場重要賽位，擁...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子功率模塊大批量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 02 日 16:54 |
| 分類: 功率
近日，芯塔電子核心型號功率模塊產(chǎn)品成功下線，已大批量交付工業(yè)領(lǐng)域標桿客戶。 芯塔電子表示，以湖州功率模塊封裝產(chǎn)線為依托，公司正在開發(fā)性能更出色的車規(guī)級碳化硅功率模塊。 據(jù)介紹，芯塔電子湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元，于2024年初正式通線，目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達產(chǎn)后，...  [詳內(nèi)文]

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 01 日 14:20 |
| 分類: 功率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。 據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應(yīng)用，熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:33 |
| 分類: 功率
長時間電網(wǎng)級儲能將出現(xiàn)新的解方。美國密西根大學(xué)開發(fā)的熱電池，其熱能轉(zhuǎn)換器效率達到44%，表現(xiàn)也優(yōu)于常見的蒸汽渦輪機，其平均效率為35%。 太陽能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌，但是只有再生能源價格下降還不夠，因為綠能為間歇性能源，日落或是沒有風(fēng)的時候，還是需要“電池“等儲能系統(tǒng)輔助，...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯達成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:31 |
| 分類: 功率
6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴關(guān)系，以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進行合作，雙方共同目標是推進美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對航空航天和國防系...  [詳內(nèi)文]