文章分類(lèi): 功率

超1300億!2024年數(shù)十個(gè)SiC項(xiàng)目有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 09 日 18:10 |
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2024年以來(lái),SiC產(chǎn)業(yè)延續(xù)了2023年的火熱態(tài)勢(shì),企業(yè)圍繞技術(shù)研發(fā)、簽單合作、投融資、IPO、產(chǎn)能建設(shè)等方面忙得不亦樂(lè)乎,各大廠(chǎng)商頻頻有利好消息傳出。 在投資擴(kuò)產(chǎn)大旗下,2024年以來(lái)已有超30個(gè)項(xiàng)目披露了新進(jìn)展,或簽約、或開(kāi)工、或封頂、或投產(chǎn),各個(gè)項(xiàng)目都在積極推進(jìn)當(dāng)中,不斷...  [詳內(nèi)文]

碳化硅技術(shù)領(lǐng)域2個(gè)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 29 日 14:42 |
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近日,就碳化硅單晶制備和碳化硅切割技術(shù)方面,有新進(jìn)展。 浙大聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室制備出厚度達(dá)100 mm碳化硅單晶 4月26日,浙大杭州科創(chuàng)中心官微發(fā)文稱(chēng),浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心(簡(jiǎn)稱(chēng)科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室)首次生長(zhǎng)出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化...  [詳內(nèi)文]

14.5億,13萬(wàn)片,國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅襯底廠(chǎng)商斬獲大單

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 22 日 16:12 |
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近日,世紀(jì)金芯與日本某客戶(hù)簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定,世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶(hù)交付8英寸SiC襯底共13萬(wàn)片,訂單價(jià)值約2億美元(折合人民幣約14.5億元)。 資料顯示,世紀(jì)金芯成立于2019年12月,致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研...  [詳內(nèi)文]

江蘇GaN外延制造中心動(dòng)工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 19 日 17:59 |
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張家港經(jīng)開(kāi)區(qū)官微消息,4月18日上午,能華半導(dǎo)體張家港制造中心(二期)項(xiàng)目在張家港經(jīng)開(kāi)區(qū)再制造基地正式開(kāi)工建設(shè)。 公開(kāi)資料顯示,能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),藍(lán)寶石基GaN(GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN(GaN-o...  [詳內(nèi)文]

推進(jìn)碳化硅研發(fā),院企開(kāi)展合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 18 日 17:56 |
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4月17日,賓夕法尼亞州立大學(xué)宣布,學(xué)校已和摩根先進(jìn)材料公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“摩根公司”)簽署了一份諒解備忘錄(MOU),以促進(jìn)碳化硅(SiC)的研發(fā)。 source:賓夕法尼亞大學(xué) 該協(xié)議包括一項(xiàng)為期五年、耗資數(shù)百萬(wàn)美元的新計(jì)劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學(xué)最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)碳化硅外延片市場(chǎng)簡(jiǎn)析

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 15 日 9:24 |
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隨著電動(dòng)汽車(chē)和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大,碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié),過(guò)去市場(chǎng)長(zhǎng)期由Resonac、Wolfspeed等國(guó)際大廠(chǎng)主導(dǎo),中國(guó)廠(chǎng)商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累,終隨新能源浪潮迎來(lái)業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)期,近年來(lái)全球市場(chǎng)份額得以迅...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
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4月9日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source:鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)電子通信研究院將啟動(dòng)GaN晶圓代工服務(wù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:39 |
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據(jù)韓媒報(bào)道,近日,韓國(guó)電子通信研究院(ETRI)宣布將啟動(dòng)150nm氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體本土代工試點(diǎn)服務(wù)。 source:拍信網(wǎng) 4月4日,ETRI公布了根據(jù)科學(xué)與信息通信技術(shù)部”電信用化合物半導(dǎo)體研究代工廠(chǎng)”項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的150nm GaN微波集成電路(...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)釜山將新建2座8英寸化合物半導(dǎo)體工廠(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
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4月6日,釜山市政府宣布投資400億韓元(折合人民幣約2.14億元),在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,該項(xiàng)目已獲國(guó)家及市級(jí)基金資助。 source:拍信網(wǎng) 為構(gòu)建生產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體的生態(tài)系統(tǒng),釜山市...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)首款2300V SiC MOSFET問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
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據(jù)韓媒ETnews報(bào)道,3月26日,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布,已在韓國(guó)首次成功開(kāi)發(fā)出2300V碳化硅(SiC)MOSFET,并將于明年初量產(chǎn)。 source:Power Cube Semi 據(jù)介紹,Power Cube Semi稱(chēng),2300V SiC M...  [詳內(nèi)文]