文章分類： 碳化硅SiC

5家企業(yè)SiC新品集中亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 29 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
9月，碳化硅（SiC）領(lǐng)域新品動態(tài)頻繁，英飛凌、羅姆半導(dǎo)體、方正微電子、茂睿芯、Wolfspeed等企業(yè)紛紛發(fā)力，陸續(xù)推出多款產(chǎn)品，覆蓋功率器件、模塊、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，應(yīng)用場景涵蓋光伏、儲能、新能源汽車、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。 1、茂睿芯 9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出國內(nèi)首款直...  [詳內(nèi)文]

這條12英寸SiC中試線正式通線！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 19:02 |
| 分類: 碳化硅SiC
9月26日，據(jù)晶盛機電官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅（SiC）襯底加工中試線正式通線。浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國產(chǎn)化。 圖片來源：晶盛機電 據(jù)晶盛機電介紹，該中試線覆蓋了晶體加工，...  [詳內(nèi)文]

這家廠商全球首發(fā)8英寸低電阻碳化硅襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 25 日 13:05 |
| 分類: 碳化硅SiC
在近期召開的國際碳化硅及相關(guān)材料會議（ICSCRM） 上，國內(nèi)廠商天科合達全球首次公開發(fā)布了8英寸低電阻碳化硅襯底。 圖片來源：天科合達 據(jù)悉，該低電阻襯底可將電阻率控制在7-12mΩ·cm范圍內(nèi)，僅為常規(guī)N型襯底電阻率的一半。層錯缺陷控制是低電阻產(chǎn)品研發(fā)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，天科合達...  [詳內(nèi)文]

多款SiC光波導(dǎo)AR眼鏡發(fā)布！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 25 日 11:28 |
| 分類: 碳化硅SiC
在消費電子領(lǐng)域，碳化硅光波導(dǎo)眼鏡正逐漸成為技術(shù)創(chuàng)新與市場拓展的焦點。近期，多家企業(yè)紛紛發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品，展示了這一領(lǐng)域的快速發(fā)展與巨大潛力。 9月11日，眼鏡企業(yè)#乘木科技 發(fā)文稱，他們首款智能眼鏡產(chǎn)品——SyncSmart One獲得了德國柏林國際消費電子展（IFA）的“最佳創(chuàng)新金...  [詳內(nèi)文]

韓國首座8英寸SiC全流程本土化工廠竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 23 日 13:35 |
| 分類: 碳化硅SiC
韓國本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab在其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了里程碑式的進展。2025年9月17日，公司在釜山機張郡舉行了總部及8英寸SiC生產(chǎn)設(shè)施的落成儀式，標志著韓國首座能夠?qū)崿F(xiàn)8英寸SiC功率半導(dǎo)體全流程本土化生產(chǎn)的工廠正式竣工。 圖片來源：EYEQ Lab...  [詳內(nèi)文]

10億資本注入，這家碳化硅大廠進行產(chǎn)能擴張！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 23 日 13:34 |
| 分類: 碳化硅SiC
9月19日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）宣布完成全部C輪融資，融資總金額超過10億元人民幣。此次融資由國開制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級基金領(lǐng)投，中金資本、北京市綠色能源和低碳產(chǎn)業(yè)基金、國際國方、國投IC基金、金石投資、海望資本、芯鑫等多家知名投資機構(gòu)跟投。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

10億元投資，碳化硅涂層材料基地建設(shè)啟動

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 22 日 17:12 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)“今日海滄”報道，近日，2025海滄區(qū)招商大會成功舉辦，現(xiàn)場共有45個高品質(zhì)項目成功簽約，總投資達285億元，其中就包括深圳泰坦未來技術(shù)有限公司（以下簡稱“泰坦未來”）的高性能材料項目。 圖片來源：今日海滄 據(jù)悉，泰坦未來計劃投資10億元建設(shè)高性能碳基、陶瓷基半導(dǎo)體復(fù)合材料產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

華為碳化硅散熱技術(shù)專利曝光

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 19 日 14:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
華為近日公布了兩項涉及碳化硅散熱技術(shù)的專利，分別為《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》和《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》。 前者專利提供了一種導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用。 圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局專利信息截圖 該導(dǎo)熱組合物包括基體材料和導(dǎo)熱填料；導(dǎo)熱填料包括大粒徑填料和小粒徑填料，...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技擴建，年產(chǎn)11000件半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 19 日 14:03 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
市場最新消息顯示，珂瑪科技半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件的擴建項目獲最新進展。9月15日，滁州市人民政府發(fā)布了關(guān)于《安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項目環(huán)境影響報告表》受理公示。 圖片來源：滁州市人民政府官網(wǎng)公示截圖 安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司計劃在滁州市中新蘇滁...  [詳內(nèi)文]

羅姆：搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 18 日 14:29 |
| 分類: 碳化硅SiC
9月17日，據(jù)羅姆半導(dǎo)體官微宣布，搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)。 據(jù)了解，作為電驅(qū)動總成系統(tǒng)的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對電動汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動汽車牽引逆變器領(lǐng)域通常支持的800V電壓，可支持...  [詳內(nèi)文]