9月，碳化硅（SiC）領(lǐng)域新品動(dòng)態(tài)頻繁，英飛凌、羅姆半導(dǎo)體、方正微電子、茂睿芯、Wolfspeed等企業(yè)紛紛發(fā)力，陸續(xù)推出多款產(chǎn)品，覆蓋功率器件、模塊、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，應(yīng)用場景涵蓋光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。
1、茂睿芯
9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出國內(nèi)首款直驅(qū)SiC MOSFET flyback AC/DC產(chǎn)品MK2606S。
圖片來源：Meraki Integrated茂睿芯
據(jù)介紹，該產(chǎn)品支持16~30V寬VCC供電驅(qū)動(dòng)電壓16V，可以直驅(qū)SiC MOSFET支持135kHz開關(guān)頻率專有的軟起機(jī)方案，在開機(jī)時(shí)可以降低次級(jí)同步整流尖峰抖頻功能，優(yōu)化系統(tǒng)EMI恒功率、Line OVP功能可開放SOT23-6封裝。
茂睿芯表示，MK2606S是國內(nèi)首發(fā)，小6pin直驅(qū)SiC，30V高頻QR反激控制器，應(yīng)用場景包括AC/DC適配器、工業(yè)輔源、儲(chǔ)能系統(tǒng)輔助電源組串逆變器輔源、汽車直流充電樁輔源等。
2、羅姆半導(dǎo)體
9月22日，羅姆半導(dǎo)體在官網(wǎng)宣布，其開發(fā)了二合一SiC模壓模塊——DOT-247。
圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)
據(jù)了解，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。
具體來看，DOT-247采用將兩個(gè)TO-247封裝相連的造型，通過配備在TO-247結(jié)構(gòu)上難以容納的大型芯片，并采用ROHM自有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻。另外，通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，其熱阻比TO-247降低了約15%，電感降低了約50%。由此，在半橋*1結(jié)構(gòu)中，可實(shí)現(xiàn)使用TO-247時(shí)2.3倍的功率密度，并能以約一半的體積實(shí)現(xiàn)等效的功率轉(zhuǎn)換電路。
值得關(guān)注的是，新產(chǎn)品已于2025年9月開始暫以月產(chǎn)1萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格：20,000日元/個(gè)，不含稅）。另外，符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品，也計(jì)劃于2025年10月開始提供樣品。
3、方正微電子
9月15日，據(jù)#方正微電子?官微介紹，其高性能SIC MOS功率模塊—TPAK模塊FA120T003BA（1200V 3.1mΩ），專為新能源汽車主驅(qū)電機(jī)控制器、EVTOL電機(jī)控制器、電動(dòng)船、超級(jí)充電站等高端應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，旨在提供極致效率、極致功率密度和極致可靠性的解決方案。
圖片來源：方正微電子
具體來看，TPAK模塊FMIC采用了最新一代的自研SICMOS芯片，實(shí)現(xiàn)了單模塊內(nèi)阻Rdson＜3mΩ，該型號(hào)模塊的電流密度增加了＞50%，其功率容量、性能得到了顯著提升；單模組峰值輸出功率＞100kW，極大提高系統(tǒng)功率密度。
此外，芯片關(guān)鍵可靠性項(xiàng)目可輕松通過3000h認(rèn)證，模塊滿足AQG-324可靠性標(biāo)準(zhǔn)，封裝通過凹槽設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高爬電距離，提高高電壓平臺(tái)應(yīng)用的可靠性，可提供1200V多款低Rdson＜10mΩ產(chǎn)品。
4、Wolfspeed
9月11日，Wolfspeed宣布其200mm碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用，同時(shí)同步推出可供即時(shí)認(rèn)證的200mm碳化硅外延片，結(jié)合其200 mm裸晶圓，能夠?qū)崿F(xiàn)突破性的規(guī)?；慨a(chǎn)與更為優(yōu)異的品質(zhì)，助力下一代高性能功率器件的開發(fā)。
Wolfspeed表示，Wolfspeed 200mm碳化硅裸晶圓在350μm厚度下實(shí)現(xiàn)了更為優(yōu)異的參數(shù)規(guī)格，而200mm外延片則具備行業(yè)領(lǐng)先且進(jìn)一步改善的摻雜和厚度均勻性。這些特性使得器件制造商能夠提高M(jìn)OSFET良率、縮短產(chǎn)品推向市場的時(shí)間，并為汽車、可再生能源、工業(yè)及其他高增長應(yīng)用領(lǐng)域提供更具競爭力的解決方案。
5、英飛凌
9月8日，英飛凌官微推出新品——CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝。
圖片來源：英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體
根據(jù)英飛凌介紹，第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)，為更經(jīng)濟(jì)高效、緊湊、易設(shè)計(jì)且可靠的系統(tǒng)提供領(lǐng)先的解決方案。該器件在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)渲芯鼙憩F(xiàn)出更優(yōu)異的性能，適用于所有常見的AC-DC、DC-DC和DC-AC組合拓?fù)洹?/p>
新品具有開關(guān)損耗降低25%，總功率損耗減少10%，MOSFET溫度降低11%，抗米勒效應(yīng)可靠性，并聯(lián)表現(xiàn)更優(yōu)等多種競爭優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、不間斷電源UPS、電動(dòng)汽車充電、驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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