10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡稱“CGD”）宣布，與全球領先的半導體制造商GlobalFoundries（格芯）達成重要制造合作。
此次合作將大幅增強CGD的供應鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴大其獨有的ICeGaN?單晶片功率器件的全球供應規(guī)模，以滿足電動汽車、數據中心和消費電子等高增長市場對高效能、高可靠性GaN解決方案的迫切需求。
圖片來源：CGD公告截圖
合作焦點：鞏固Fabless戰(zhàn)略，加速規(guī)?；a
此次CGD與GlobalFoundries的合作，是CGD邁向全球規(guī)?；a的關鍵一步。通過與GF合作，CGD將能夠確保其核心ICeGaN?產品的制造能力和供應鏈穩(wěn)定，這對于一家快速擴張的公司至關重要。
CGD首席運營官SimonStacey表示，此次合作將利用GF卓越的代工服務和對GaN技術的投入，能夠將CGD的設計流程與GF的制程設計套件（PDK）相結合，大幅加快下一代GaN功率器件的開發(fā)和上市速度。雙方將利用GlobalFoundries成熟的8英寸CMOS晶圓代工平臺，以具備競爭力的成本加速CGD單晶片GaN技術的量產。
公開資料顯示，CGD由Giorgia Longobardi博士和Florin Udrea教授于2016年創(chuàng)立，其技術根植于劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組（HVMS）。公司的核心競爭力在于其ICeGaN?增強型氮化鎵 (HEMT) 技術，它徹底改變了GaN器件的設計方式。
ICeGaN?最顯著的特點是采用了獨特的單晶片集成架構。它在同一GaN晶片上集成了GaN開關、智能介面和保護電路，與市面上大多數采用多晶片或共封裝的解決方案形成了鮮明對比。這種單晶片設計帶來了前所未有的易用性和高可靠性。
首先，ICeGaN?能夠像標準矽MOSFET一樣，直接由常用的矽MOSFET驅動器驅動，顯著簡化了客戶的設計流程，消除了使用復雜驅動電路的需求。其次，集成的保護電路提升了器件的抗雜訊能力和過壓耐受性，確保了卓越的柵極可靠性。這種整合不僅提高了GaN器件的固有優(yōu)勢——高效率和高功率密度，還解決了其在工業(yè)應用中的易用性和可靠性挑戰(zhàn)。
除了制造端的戰(zhàn)略合作，CGD在技術應用方面也積極布局，瞄準高功率市場。公司最近推出了ComboICeGaN?技術，這是一種混合開關解決方案，將智能ICeGaNHEMTIC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成于同一模塊中。該技術旨在為電動汽車逆變器提供一種具成本效益、替代昂貴碳化矽（SiC）的解決方案，是CGD進軍高功率汽車應用的關鍵。
此外，CGD也與工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)先進的高功率密度USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機等應用提供高達140-240W的高效電源解決方案。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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