10月11日，上海召開市政府新聞發(fā)布會，介紹最新出臺的《關(guān)于加快推動前沿技術(shù)創(chuàng)新與未來產(chǎn)業(yè)培育的若干措施》。
發(fā)布會上，上海市科委副主任屈煒透露，上海圍繞未來制造、未來信息、未來材料、未來能源、未來空間、未來健康六大方向，分近、中、遠三個層次，合理規(guī)劃、分層推進、精準培育。其中包括加快培育硅光、6G、第四代半導(dǎo)體、類腦智能等領(lǐng)域，重點支持優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計、拓展應(yīng)用場景、驗證市場價值。
第四代半導(dǎo)體是繼第一代硅（Si）、鍺（Ge），第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）之后的新型半導(dǎo)體材料體系。主要包括氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等超寬禁帶半導(dǎo)體材料，以及銻化鎵（GaSb）、銻化銦（InSb）等超窄禁帶半導(dǎo)體材料。
此前5月，上海在臨港新片區(qū)宣布建設(shè)上海超寬禁帶半導(dǎo)體未來產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，同時，上海市寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料重點實驗室正式揭牌，臨港新片區(qū)發(fā)布了十條支持寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，超寬禁帶半導(dǎo)體概念驗證中心、集成電路材料概念驗證中心也啟動建設(shè)，寬禁帶與超寬禁帶產(chǎn)業(yè)基金矩陣正式發(fā)布，超寬禁帶半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟也發(fā)起成立。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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