納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,涉及碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 17:57 | 分類 碳化硅SiC

“納微芯球”官微消息,近期納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新GigaDevice共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在合肥揭牌。

圖片來源:納微芯球

該實(shí)驗(yàn)室將納微半導(dǎo)體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術(shù)的GeneSiC碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)與兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領(lǐng)域的深厚積累相結(jié)合,面向AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、儲(chǔ)能等新興市場(chǎng),提供智能、高效的數(shù)字能源解決方案。

自籌備以來,數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室已取得一系列成果,先后推出4.5kW、12kW服務(wù)器電源,以及500W單級(jí)微型逆變器等解決方案。這些方案以先進(jìn)拓?fù)?,滿足行業(yè)“高效率、高功率密度”等需求演進(jìn)方向。方案的落地不僅展現(xiàn)了納微半導(dǎo)體 與兆易創(chuàng)新在數(shù)字能源領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力,也凸顯了雙方技術(shù)融合所帶來的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

比如4.5kW和12kW AI服務(wù)器電源方案,基于納微GaNSafe?氮化鎵功率芯片與第三代快速碳化硅MOSFETs產(chǎn)品,結(jié)合兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU打造的4.5kW和12kW AI服務(wù)器電源方案,專為AI和傳統(tǒng)服務(wù)器以及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)。其中的12kW方案不僅符合開放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)、開放機(jī)架v3(ORv3)及CRPS規(guī)范,更以極簡(jiǎn)元器件布局,超越80 PLUS紅寶石“Ruby”標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)97.8%峰值效率。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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