文章分類： 碳化硅SiC

聚焦AI和HPC應用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）領域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關鍵瓶頸。6月13日，美國Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復合材料，旨在徹底改變人工智能和高性能計算HPC應用中的熱管理...  [詳內文]

納微半導體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農業(yè)運輸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 16:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導體正式宣布與BrightLoop達成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統，運用先進的第三代半導體技術，致力于推動高效、高可靠性的能源管理方案在農業(yè)與重型運輸領域實現商業(yè)化落地。 圖片來源：納微半導體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內文]

又一批第三代半導體項目刷新進度：封頂、試運行、沖刺生產！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當下，第三代半導體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產業(yè)變革的關鍵力量。近期，第三代半導體領域多個項目取得重要進展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設備調試收官+試生產并行 6月9日，據“最內江”公眾號消息，奧通碳素（內...  [詳內文]

格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺，董明珠卸任零邊界董事長

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:16 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領域的戰(zhàn)略布局迎來關鍵性人事調整與技術突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產品不僅實現內部批量使用，更已為多家芯片設計公司提供晶圓流片制造服務，這標志著格力在第三代半導體戰(zhàn)略已正式進入量產階段。 與此同時，格...  [詳內文]

東芝公布碳化硅新技術

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設計技術”和“基于AI設計優(yōu)化技術”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內文]

繼武漢碳化硅基地投產后，長飛先進再獲進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據長飛先進官微消息，近日，北京經緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經緯恒潤”）與安徽長飛先進半導體股份有限公司（簡稱 “長飛先進”）順利完成戰(zhàn)略合作協議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導體領域的資源優(yōu)勢，共同推進國產碳化硅模塊的車規(guī)認證進程及批量生產、交付，助...  [詳內文]

瞻芯電子與浙江大學聯合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學在一場行業(yè)會議上聯合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領域的創(chuàng)新引領地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網、高壓大容量功率變換系統等領域有廣闊的應用場景。但...  [詳內文]

借力IPO，基本半導體中山百萬級SiC封裝線項目獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:17 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了基本半導體（中山）有限公司（以下簡稱“基本半導體”）年產100萬只碳化硅模塊封裝產線建設項目備案公示，這一重大進展，與基本半導體此前5月27日向香港聯合交易所遞交上市申請的消息相呼應。 圖片來源：廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺 此次...  [詳內文]

瞄準車規(guī)級碳化硅，理想發(fā)表重要成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車官方公眾號發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議）上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關的論文。 該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團隊，論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術研究》，展示了碳化...  [詳內文]