近日,晶能、三菱電機(jī)、悉智科技相繼發(fā)布了碳化硅功率器件/模塊新品,其中包括溝槽柵SiC-MOSFET。
晶能發(fā)布太乙混合功率器件,采用SiC&IGBT并聯(lián)設(shè)計
11月12日,據(jù)晶能微電子官微消息,由吉利汽車集團(tuán)中央研究院新能源開發(fā)中心、技術(shù)規(guī)劃中心、電子電器中心和零部件產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]
含溝槽柵碳化硅MOSFET,晶能、三菱電機(jī)、悉智科技發(fā)布新品 |
作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) |