相關資訊：氧化鎵

中國第一，韓媒發(fā)布氧化鎵有效專利持有量排名
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分類 氮化鎵GaN
據韓媒報道，日前，韓國舉辦了“氧化鎵功率半導體技術路線圖研討會”，會上公布了氧化鎵專利申請情況。 根據AnA Patent對韓國、中國、美國、歐洲、日本等6個主要PCT國家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國擁有328件，...  [詳內文]

西安郵電大學成功在8吋硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片，這一成果標志著我校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。 圖片來源：西郵新聞網 據陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內文]

國內第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分類 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國電子科技集團有限公司（中國電科）宣布，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 圖片來源：拍信網正版圖庫 01、中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導體材料，以β-Ga2O...  [詳內文]

中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分類 氮化鎵GaN
近日，中國科學技術大學微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領域取得重要進展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。 相關研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [詳內文]