9月10日，半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶董事長徐秋蘭宣布，環(huán)球晶已開發(fā)出12吋方形碳化硅晶圓。
圖片來源：環(huán)球晶
徐秀蘭表示，在過去60年來，半導(dǎo)體硅晶圓都是呈現(xiàn)圓形，后續(xù)制造也都是以圓形硅晶圓為基礎(chǔ)來考量。因此若改采用方形片，不只需要制程能力，還需要設(shè)備能力，因為并沒有現(xiàn)成設(shè)備可用，相關(guān)周邊也要跟著變化，否則以晶圓盒來說，方形晶圓會比盒子還大，「連盒子都沒得裝」?；蚴侨绻杈A不透光，碳化硅晶圓卻透光，因此量測方面的問題也要處理。
另外，徐秀蘭提到，目前市場上8吋碳化硅晶圓是以雷射切割，但12吋碳化硅晶圓切割方式仍待開發(fā)。相較于其他做碳化硅的業(yè)者，沒有12吋晶圓的經(jīng)驗，環(huán)球晶已擁有12吋晶圓的很多經(jīng)驗，只是過去是生產(chǎn)硅產(chǎn)品，而不是碳化硅，如今該公司已經(jīng)開發(fā)出不用雷射的12吋碳化硅晶圓切割方法。
環(huán)球晶前身是中美硅晶制品股份有限公司，2011年，中美硅晶將三大事業(yè)體（太陽能、半導(dǎo)體、藍(lán)寶石）獨立分割，環(huán)球晶圓股份有限公司成立。
環(huán)球晶的產(chǎn)品光譜橫跨3至12吋，包括拋光片、退火片、SOI芯片、FZ芯片等，可應(yīng)用于醫(yī)療器材、風(fēng)力發(fā)電、高速鐵路、車用電子、航天設(shè)備等多個領(lǐng)域。此外，公司還積極布局碳化硅晶圓領(lǐng)域，其位于美國德州謝爾曼市的12英寸SiC晶圓廠已實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，該工廠產(chǎn)品缺陷密度降至0.15/cm2，吸引了英飛凌、安森美等車用芯片大廠簽訂五年長約。
8月，環(huán)球晶（GlobalWafers）宣布已于6月從美國《芯片法案》獲得略超2億美元（約合人民幣14.4億元）的資金，約為其去年獲得的撥款總額的一半。
稍早一點的5月份，環(huán)球晶宣布其位于美國德州謝爾曼市的12英寸晶圓新廠正式啟用，目前新廠設(shè)備進(jìn)駐率已達(dá)30%-40%，并開始小規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)公開資料介紹，該工廠GWA采用一貫制程的生產(chǎn)模式，實現(xiàn)了 “一條龍生產(chǎn)”。
此外，該園區(qū)總占地142英畝，可容納多達(dá)六期的擴(kuò)建。在工廠啟用的同時，環(huán)球晶宣布計劃在現(xiàn)有35億美元投資的基礎(chǔ)上，追加 40億美元用于該工廠第三、四期擴(kuò)建工程，完成二階段建設(shè)后，廠區(qū)尚具備空間可進(jìn)行第五、第六期擴(kuò)建。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。