相關資訊：英諾賽科

英諾賽科：GaN出貨量突破3億顆，上半年銷售額增長500%！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 16 日 17:32 | 分類 氮化鎵GaN
今日，英諾賽科官方宣布，截至8月，8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆，目前，InnoGaN產品已在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數據中心，新能源與儲能領域的多個應用中大批量交付，幫助客戶實現小體積、高能效、低損耗的產品設計。 出貨量漲勢強勁，上半年銷售額增...  [詳內文]

英諾賽科100V GaN再添新品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分類 功率
英諾賽科宣布推出兩款 100V 新品氮化鎵功率器件，旨在提高電源功率轉換效率，降低系統損耗與成本。產品可應用于太陽能光伏逆變、光伏優(yōu)化器、高頻DC-DC轉換器及電機驅動等場景。 英諾賽科 此前，英諾賽科已相繼發(fā)布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [詳內文]

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 15:57 | 分類 展會
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕。現場展示和發(fā)布了數千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動器件、新能源產品、消費類電源、智能化設備等領域。 據TrendForce集邦咨詢化合物半導體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導體、納微半導體、芯塔電子、P...  [詳內文]

英諾賽科與思銳智能簽訂ALD設備采購協議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 26 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
今日，思銳智能官微發(fā)布消息，英諾賽科與公司簽訂了一項新的ALD設備的采購協議，根據協議，思銳智能將為英諾賽科供應用于GaN晶圓制造前道工藝的Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備，支持其8英寸硅基GaN晶圓產線的擴充。 01、英諾賽科深化GaN布局 英諾賽科8英寸晶圓產線...  [詳內文]

英諾賽科進軍高壓高功率市場，最新成果發(fā)布！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 11 日 17:29 | 分類 氮化鎵GaN
近日，海內外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術。據化合物半導體市場不完全統計，安森美、英飛凌、安世半導體、英諾賽科、納微半導體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果，性能升級，應用范圍也進一步拓寬。其中，英諾賽科便發(fā)布了聯合研究成果，為進軍高...  [詳內文]

三安、英諾賽科、納微等云集，PCIM 2023亮點搶先看！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 11 日 16:11 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月9日，聚焦電力電子、智能運動、可再生能源及能源管理的2023德國紐倫堡電力電子展PCIM Europe開幕（5/9-11），海內外SiC/GaN第三代半導體廠商匯聚一堂，以最新的技術和產品，向市場展示了SiC、GaN在電動汽車、數據中心、光伏儲能、通信基站、工業(yè)自動化等高壓高...  [詳內文]

英諾賽科發(fā)布兩款40V VGaN新品，均采用WLCSP封裝
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 23 日 17:05 | 分類 氮化鎵GaN
在消費類電子領域，氮化鎵于手機、筆電快充中的應用已大量普及，大大滿足了消費者對移動設備快速續(xù)航的需求。而在手機內部，電源開關依然采用傳統的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據了手機主板的大量空間，且在面對大功率快充時，硅MOSFET會產生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)...  [詳內文]

英諾賽科出貨量破億
作者 |發(fā)布日期 2022 年 12 月 16 日 16:41 | 分類 氮化鎵GaN
據外媒報道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據化合物半導體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產線自2019年開始大規(guī)模生產，并于2021年成為全球首家實現8英寸硅基GaN量產的企業(yè)，產能足以支撐全球市場對GaN FETs的強勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內文]