3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕?，F(xiàn)場展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動器件、新能源產品、消費類電源、智能化設備等領域。
據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導體、納微半導體、芯塔電子、Power integrations、瞻芯電子、揚杰科技、泰科天潤、能華半導體、潤新微電子、GaN systems、鎵未來、聚能創(chuàng)芯、威兆半導體、芯干線、漢驊半導體、氮矽科技等業(yè)內領先企業(yè)在會上展示了以GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）為核心的最新研發(fā)成果和尖端技術。
01、英諾賽科
作為國內出貨量第一的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科在現(xiàn)場展出了全系列氮化鎵產品與方案，應用范圍涵蓋高效快充、數(shù)據(jù)中心、激光雷達、電機驅動、戶外儲能電源、數(shù)據(jù)中心及及汽車電子等。
值得一提的是，英諾賽科針對數(shù)據(jù)中心供電解決方案做了全面的布局，可以為行業(yè)提供從前端PSU電源到主板DC/DC模塊以及芯片的直接供電，提高供電鏈路的功率密度和效率，實現(xiàn)供電轉換損耗整體減小50%。
此外，英諾賽科日前推出的采用TO252 / TO220封裝新品也“閃現(xiàn)”展會現(xiàn)場。采用TO產品的氮化鎵120W大功率快充及適配器方案也一并展示，吸引諸多關注。
據(jù)了解，英諾賽科于2021年成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基GaN量產的企業(yè)，2022年銷量成功突破1億。
02、納微半導體
納微帶來了最新的GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片解決方案、榮獲CES創(chuàng)新大獎的GaNSense? 技術以及GaNFast?功率芯片解決方案。
搭載了GaNSense?技術的GaNFast?氮化鎵功率芯片，集成了氮化鎵功率器件、驅動、控制、額外的自動保護以及無損電流檢測，帶來最簡單、最輕便、最快速以及更強勁的充電性能。借助最新的超快充技術，一個小巧、簡便的150W氮化鎵充電器，就能讓智能手機在20分鐘內完成從1-100%的充電。
目前，憑借著互補的GaNFast?和GeneSiC?技術，納微半導體已成為下一代電源領域的領先企業(yè)。
03、Power Integraions
展會上，Power Integraions帶來了采用PowiGaN氮化鎵技術的最新技術產品，包含InnoSwitch4-Pro電源開關IC。產品應用范圍包括IoT智能家居、電動工具&電單車、USB PD充電器/適配器、家用電器等。
其中，會上展出的140W適用于USB PD3.1擴展功率范圍的充電器中采用了PowiGaN技術的InnoSwitch4-Pro。最高支持28V5A的輸出，其750V耐壓的氮化鎵開關大大提升了產品的可靠性及耐受雷電沖擊的能力。得益于氮化鎵開關的高效率，這款充電器的滿載效率可達95%。
04、芯塔電子
本次展會，芯塔電子集中展示了碳化硅全系產品和技術，包括具備業(yè)內領先水平的6英寸碳化硅SBD/MOSFET晶圓和可用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、PD快充電源、電源PFC上的650-1200V的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等。
芯塔電子針對PD快充領域推出了DFN8*8和DFN5*6兩種封裝形式碳化硅二極管產品，助力高功率密度快充產品的開發(fā)。
此外，芯塔電子本次推出的DFN封裝系列產品目前已通過多家客戶的測試驗證，并對部分客戶形成批量供貨。芯塔電子產品的設計及驗證均按照車規(guī)級標準執(zhí)行，技術參數(shù)可對標國際一線公司的最新產品，滿足高端領域的國產化替代需求。
據(jù)了解，芯塔電子是國內領先的第三代半導體功率器件企業(yè)。目前公司已完成一系列的產品研發(fā)和批量生產，逐漸形成較完整的功率器件產品體系，產品在高端電源領域通過驗證，進入了行業(yè)標桿客戶，同時在軍工、新能源汽車、充電樁等領域進行了送樣和銷售。
05、潤新微電子
潤新微電子是華潤微旗下的第三代半導體氮化鎵外延、晶圓及器件制造商，提供650V、900V全規(guī)格的功率器件產品，電源功率的應用覆蓋20W~18KW。
此次展會，公司展出了6英寸650V氮化鎵晶圓和外延片，及采用DFN5*6、DFN8*8、TO-252、TO-263、TO-220、TO-247封裝形式的氮化鎵功率器件。內阻覆蓋720mΩ~35mΩ。
據(jù)了解，潤新微電子氮化鎵功率器件的特點是兼容標準MOS驅動，應用設計簡單；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。產品主要應用于三電：電源、電機、電池，覆蓋電源管理、太陽能逆變器、新能源汽車及高端電機驅動等科技產業(yè)。
06、珠海鎵未來
鎵未來專注于第三代半導體氮化鎵技術，提供從30W到6000W的氮化鎵器件及系統(tǒng)設計解決方案。目前已完成多輪融資，投資方包括珠海科創(chuàng)投、大橫琴集團、境成資本、禮達基金，融資金額過億。
會上，公司展出了6英寸氮化鎵晶圓、氮化鎵快充、DC-DC變換器、服務器導冷電源、LED電源等產品和方案。
07、GaN Systems
GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領域，該公司屬于先行者。
展會上，公司展出了受三星、戴爾、雷蛇 等全球消費電子領導品牌所采用之氮化鎵快速充電器與適配器。
值得注意的是，3月初，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems，雙方已就此達成最終協(xié)議。
08、泰科天潤
泰科天潤展出了碳化硅功率器件、6英寸碳化硅晶圓及PD電源、工業(yè)電源等應用案例/方案。
其中，4000W逆變器方案的LLC頻率為90KHz-300KHz，效率為99%，具有效率高，1U標準機箱等優(yōu)點.。方案采用了泰科天潤生產的G3S06510B 碳化硅器件。
泰科天潤湖南碳化硅6英寸線第一期年產能6萬片碳化硅6英寸片，預計今年年底完成擴產，實現(xiàn)年產10萬片碳化硅6英寸片。同期泰科天潤位于北京的新研發(fā)總部和8英寸線也在布局，預計2025年完工，可實現(xiàn)10萬片碳化硅8英寸片/年產能，更好的服務客戶，保障交付！
公司產品已經批量應用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、 DC-DC等領域。產品規(guī)格涵蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。
09、基本半導體
會上，基本半導體展出了6英寸碳化硅JBS晶圓、碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件和汽車及HPD碳化硅MOSFET模塊等產品。
基本半導體是中國第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。
公司研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等全產業(yè)鏈，推出通過AEC-Q101可靠性測試的碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET以及汽車級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平，產品廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業(yè)控制等領域。
10、瞻芯電子
公司展出了業(yè)界首創(chuàng)的CCM模式圖騰柱模擬PFC控制芯片、SiC MOSFET專用比鄰驅動芯片，以及車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等產品。
其中，2.5kW圖騰柱PFC芯片（IVCC1102）獲得了第八屆中國電源學會科學技術獎之優(yōu)秀產品創(chuàng)新獎，得益于IVCC1102具備更快速、更精確、高可靠的模擬控制，故無需編程，使用簡單，可助力電源方案快速定型并推向市場應用。
瞻芯電子聚焦于碳化硅半導體領域，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品，并為客戶提供一站式芯片解決方案。
近期，公司陸續(xù)發(fā)布了2款TOLL貼片封裝的650V SiC MOSFET，能能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設計的應用要求。
此外，還量產了2款Si/GaN/IGBT通用柵級驅動芯片IVCR1407A與1801A，能安全可靠地驅動器件以高達數(shù)百kHz開關.
近年來，瞻芯電子屢受資本青睞。日前，公司完成數(shù)億元B輪融資，由國方創(chuàng)新領投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構跟投。
11、能華半導體
能華半導體聚焦以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件。目前，公司的產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。
展會上，能華半導體展出了36W、60W和65W適配器方案。據(jù)了解，基于能華氮化鎵功率器件的65W適配器方案，熱可靠性大為提高。
12、江西譽鴻錦
江西譽鴻錦主要從事高品質氮化鎵（GaN）電子電力材料和高端光電材料的MOCVD外延生長、芯片制造及相關器件封裝，是目前國內僅有的第三代半導體全產業(yè)鏈創(chuàng)新型科技企業(yè)。
展會上公司展出了氮化鎵MOS、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵快充和氮化鎵適配器電源等一系列產品和方案。公司功率器件產品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心，射頻器件用于5G通訊設備及個人5G終端等領域
13、威兆半導體
威兆半導體是專業(yè)從事分立器件系列的設計及半導體微電子相關產品研發(fā)的高科技企業(yè)，同時也是國內少數(shù)于12英寸晶圓成功開發(fā)功率分立器件的公司之一。
公司的產品主要為開關電源充電器用的大功率MOSFET 場效應管、超低壓降肖特基、快恢復二極管及器件模塊化應用設計，致力于提高產品能效比。此外，公司還有一款 GaN芯片。
此次展會上，公司主要展出了PD快速充電器、無限充電器方案，以及主要應用于手機電池、TWS電池、只能手表電池的CSP系列demo board。
14、聚能創(chuàng)芯
聚能創(chuàng)芯聚焦于第三代半導體硅基氮化鎵（GaN），致力于打造GaN器件開發(fā)與應用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計算、5G通訊等提供國產化核心元器件支持。旗下聚能晶源聚焦于第三代半導體氮化鎵（GaN）外延材料。
展會上，公司展出了6英寸硅基氮化鎵外延片、8英寸AIGaN/GaN外延片，以及GaN PD快充、GaN高頻快充、GaN LED照明、GaN TV Power等方案。
GaN PD快充方案中，最大輸出功率240W，采用PFC+LLC架構，滿載輸出效率95%，可拓展多路USB Type C輸出。
15、漢驊半導體
公司在會上展出了多種規(guī)格的外延片產品。其中，4英寸藍寶石基全色LED外延片（紅&藍），主要應用于AR/VR領域；6英寸硅基氮化鎵功率電子外延片，主要應用于下一代電力電子、功率器件。
據(jù)悉，漢驊半導體致力于先進半導體產品的研發(fā)與生產，主要產品應用于5G通訊、功率電子、Micro-LED全色顯示、UV紫外消毒固化、微控流芯片、以及其他諸多關鍵應用場景。
目前在蘇州工業(yè)園區(qū)核心區(qū)域已建成：約20000㎡廠區(qū)、5000㎡潔凈室，數(shù)十臺MOCVD，6/8英寸光電芯片-MEMS量產產線，是具備國際領先水準的高端半導體閉環(huán)研發(fā)與生產基地。
16、芯干線
展會上，芯干線展出了碳化硅功率器件、650V氮化鎵功率器件和500W氮化充電模塊等產品和方案。
其中，500W氮化充電模塊解決方案采用芯干線X-GaN和X-SiC，目前已通過EMI傳導輻射測試，支持量產。
據(jù)悉，芯干線聚焦第三代半導體功率器件及模塊設計研發(fā)。公司產品線包括增強型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半導體電源模塊。為下游客戶提供先進的第三代半導體應用方案和全面的技術支持，涵蓋消費級、工業(yè)級等各領域。
17、氮矽科技
氮矽科技成立于2019年4月，專注于氮化鎵功率器件及其驅動芯片的設計研發(fā)、銷售及方案提供。
2020年3月，氮矽科技發(fā)布國內首款氮化鎵超高速驅動器DX1001，同年4月推出國內多款量產級別的650V氮化鎵功率芯片DX6515/6510/6508，進軍PD快充行業(yè)。目前可提供65W 2C1A、65W單C、120W 2C1A等多種應用解決方案。（文：集邦化合物半導體 Amber）
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