相關(guān)資訊：Transphorm

價(jià)格超24億，Transphorm正式被收購(gòu)

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 21 日 17:08 | 分類企業(yè)

今（21）日，瑞薩電子宣布，公司已完成對(duì)Transphorm的收購(gòu)。據(jù)了解，今年1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議，瑞薩電子將以約3.39億美元（折合人民幣24.6億元）的價(jià)格收購(gòu)Transphorm。 source：拍信網(wǎng) 資料顯示，... [詳內(nèi)文]

Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 04 月 30 日 11:08 | 分類企業(yè)

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B... [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會(huì)被瑞薩電子選中？

作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 17:04 | 分類企業(yè)

1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約24.27億人民幣）。 source：瑞薩電子瑞薩電子表... [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體、Transphorm等推出SiC/GaN新品

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 12 月 01 日 11:14 | 分類企業(yè)

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET 11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。 NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexpe... [詳內(nèi)文]

Transphorm和Allegro MicroSystems聯(lián)手提高GaN電源系統(tǒng)性能

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 11 月 16 日 17:28 | 分類功率

Transphorm和Allegro MicroSystems于昨日（11/15）宣布合作，聯(lián)合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，借此擴(kuò)展GaN電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)在高功率應(yīng)用范圍。據(jù)介紹，Transphorm的SuperG... [詳內(nèi)文]

提升GaN定位，Transphorm推出TOLL封裝FET

作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 11 月 10 日 11:31 | 分類企業(yè)

Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備... [詳內(nèi)文]