12月17日,碳化硅(SiC)晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進SiC工藝技術在功率MOSFET的應用,并顯著降低單元間距,從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數量并改善導通電阻。
source:X-fab
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X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分類 功率 |