隨著電動(dòng)汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應(yīng)用等領(lǐng)域的需求日益強(qiáng)勁，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長。近期，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域喜訊頻傳，包括盛美上海推出新設(shè)備、先為科技設(shè)備發(fā)貨等，展現(xiàn)出國產(chǎn)設(shè)備正加速突圍的勢(shì)頭。
盛美上海
9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款專為寬禁帶化合物半導(dǎo)體制造而設(shè)計(jì)的Ultra ECDP電化學(xué)去鍍?cè)O(shè)備。
圖片來源：盛美上海
據(jù)介紹，該新設(shè)備專為在晶圓圖形區(qū)域外進(jìn)行電化學(xué)晶圓級(jí)金（Au）蝕刻而設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)更高的均勻性、更小的側(cè)蝕和增強(qiáng)的金線外觀。
Ultra ECDP設(shè)備提供專業(yè)化工藝，包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍，并配備集成的預(yù)濕和清洗腔體。其具備精確的化學(xué)液循環(huán)和先進(jìn)的多陽極電化學(xué)去鍍技術(shù)，該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了最小化的側(cè)向蝕刻、優(yōu)異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性。
Ultra ECDP專為滿足化合物半導(dǎo)體制造不斷發(fā)展的要求而設(shè)計(jì)，可適應(yīng)不同襯底（包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和磷酸鋰（Li?PO?））等的獨(dú)特物理特性-如重量、應(yīng)力和厚度。采用模塊化設(shè)計(jì)的Ultra ECDP具有靈活性，可在單一平臺(tái)內(nèi)集成電鍍和去鍍工藝，并利用多陽極技術(shù)控制不同區(qū)域的去鍍過程。此外，Ultra ECDP還提供水平全表面去鍍方式，以防止加工過程中的交叉污染。
先為科技
同日，先為科技官微宣布，無錫先為科技有限公司自主研發(fā)的EliteMO系列常壓型GaN MOCVD設(shè)備于9月17日正式發(fā)貨，交付國內(nèi)某頭部化合物半導(dǎo)體晶圓廠。
圖片來源：先為科技
據(jù)了解，EliteMO系列金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備，具備廣泛的應(yīng)用覆蓋與領(lǐng)先的工藝性能，適用于GaN LD、綠光到紫外LED、GaN電子器件、GaN基新結(jié)構(gòu)材料、Ga?O?外延及AIN外延生長。該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)多區(qū)電阻加熱，具備優(yōu)異的溫度均勻性，可提供多元多組分、n/p型等多種材料外延生長解決方案，賦能先進(jìn)材料的外延研發(fā)與制造。
此前6月16日，先為科技交付了BrillMO系列GaN MOCVD設(shè)備，據(jù)介紹，該設(shè)備各項(xiàng)性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，在設(shè)計(jì)上獨(dú)具匠心，運(yùn)用特有的溫場(chǎng)和流場(chǎng)設(shè)計(jì)，不僅能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造提供堅(jiān)實(shí)保障，而且在產(chǎn)能上表現(xiàn)卓越，能夠大幅提升生產(chǎn)效率，同時(shí)有效降低了使用成本，為客戶提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。
北方華創(chuàng)
作為國內(nèi)化合物外延設(shè)備頭部企業(yè)，北方華創(chuàng)于7月宣布兩款自主研發(fā)的MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）外延設(shè)備（型號(hào)：Satur N800/ Satur V700）順利通過行業(yè)龍頭客戶驗(yàn)收，并獲得批量重復(fù)訂單。
公開資料顯示，MOCVD設(shè)備是一種利用金屬有機(jī)化合物進(jìn)行金屬輸送的氣相外延生長設(shè)備。它需要在原子尺度上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜材料的納米精度控制、量子級(jí)界面控制。此外，還需具備高真空環(huán)境和高精度溫控系統(tǒng)，以確保材料的純度和生長的穩(wěn)定性。
圖片來源：北方華創(chuàng)
其中，Satur N800面向8英寸硅基氮化鎵功率器件的特殊需求設(shè)計(jì)，具備大面積均勻溫度場(chǎng)、大范圍穩(wěn)定可調(diào)氣流場(chǎng)，以及多片式（Batch）大產(chǎn)能和自動(dòng)化配置，能夠滿足化合物半導(dǎo)體先進(jìn)器件對(duì)外延層組分、厚度和摻雜均勻性的高要求。Satur V700成功突破了氣流場(chǎng)、溫度場(chǎng)、副產(chǎn)物控制等關(guān)鍵技術(shù)，具備高均勻性、大產(chǎn)能、低成本等優(yōu)勢(shì)。該設(shè)備不僅能夠滿足Micro LED行業(yè)的痛點(diǎn)需求，還可廣泛應(yīng)用于射頻、光電子等領(lǐng)域。
結(jié)語
隨著先為科技、盛美上海、北方華創(chuàng)等企業(yè)在關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域的突破，國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體設(shè)備正逐步形成完整產(chǎn)業(yè)鏈。從材料生長到芯片制造，從工藝設(shè)備到支持設(shè)備，國內(nèi)企業(yè)正在各個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
國際廠商如德國Aixtron、美國Veeco等仍在高端設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，但國內(nèi)企業(yè)通過差異化創(chuàng)新和本地化服務(wù)優(yōu)勢(shì)，正在逐步擴(kuò)大市場(chǎng)份額。未來，隨著技術(shù)積累的加深和市場(chǎng)應(yīng)用的拓展，國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體設(shè)備有望在全球市場(chǎng)占據(jù)更重要地位。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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