近期，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇召開，會議現(xiàn)場揭曉“2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”入選結(jié)果。
“全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)”、“萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化鎵Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技術(shù)”、“8英寸氧化鎵單晶及襯底制備實現(xiàn)重大突破”、“低位錯密度12英寸碳化硅單晶生長及激光剝離技術(shù)”、“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件設(shè)計與工藝開發(fā)”、“國產(chǎn)化Micro LED專用MOCVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)重大突破”、“AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)”、“III族氮化物半導(dǎo)體強(qiáng)極化的實驗測定”、“氮化鎵基Micro-LED微顯示集成芯片技術(shù)”等10項成果成功入選“2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”。
圖片來源：深圳平湖實驗室
其中，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司發(fā)布全球首款12英寸碳化硅襯底，標(biāo)志著中國在半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導(dǎo)體材料技術(shù)的國際領(lǐng)先地位。
資料顯示，碳化硅單晶擴(kuò)徑技術(shù)難度極高，12英寸碳化硅晶體制備需要在8英寸碳化硅晶體基礎(chǔ)上通過多輪次迭代擴(kuò)徑，項目團(tuán)隊在新型長晶設(shè)備開發(fā)、配套的熱場結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝、特殊籽晶處理工藝等方向上取得創(chuàng)新性突破，攻克了碳化硅單晶的連續(xù)擴(kuò)徑技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅單晶；同時項目團(tuán)隊配合超大尺寸襯底開發(fā)了新型大尺寸切割、研磨和拋光技術(shù)，最終實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底的加工成型。
國產(chǎn)化Micro LED專用MOCVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項目由三安光電、中微公司聯(lián)合研發(fā)，旨在推動國產(chǎn)MOCVD設(shè)備在性能上達(dá)到國際先進(jìn)水平，標(biāo)志著我國在Micro LED關(guān)鍵設(shè)備制造上已擺脫國外技術(shù)的依賴，實現(xiàn)了自主可控，為國產(chǎn)Micro LED產(chǎn)業(yè)大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)奠定了堅實基礎(chǔ)，助力我國在全球Micro LED顯示領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。
AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)項目由華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心戴江南教授團(tuán)隊聯(lián)合華中科技大學(xué)鄂州工研院、武漢優(yōu)煒芯科技有限公司完成。研究團(tuán)隊創(chuàng)新設(shè)計了芯片刻蝕反射陣列結(jié)構(gòu)，提升了紫外芯片電光轉(zhuǎn)換效率；首創(chuàng)了協(xié)同散射光子調(diào)控策略，提高了紫外芯片光提取效率；制備了晶圓級介質(zhì)納米結(jié)構(gòu)，提升了紫外芯片輸出光功率。
基于以上成果，本團(tuán)隊最終突破了230nm遠(yuǎn)紫外光源毫瓦級輸出的國際難題，成功研制出峰值波長230nm、輸出功率2.8mW的AlGaN基遠(yuǎn)紫外micro-LED，為目前毫瓦級micro-LED報道的最短波長。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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