文章分類： 氧化鎵

國際領(lǐng)先，國內(nèi)8英寸氧化鎵襯底秀最新成績單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:09 |
| 分類: 氧化鎵
9月3日，“鎵仁半導(dǎo)體”官微透露，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過了國內(nèi)/國外知名機(jī)構(gòu)的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結(jié)果。 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室檢測結(jié)果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果：22~26 a...  [詳內(nèi)文]

16.8億元氧化鎵項(xiàng)目迎新進(jìn)展：預(yù)計(jì)8月入駐機(jī)電設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:06 |
| 分類: 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展。 目前最新進(jìn)展是該項(xiàng)目整個(gè)主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進(jìn)行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動(dòng)力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計(jì)8月可進(jìn)行機(jī)...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:18 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)模化應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域注入新動(dòng)能。隨著市場對高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期，兩個(gè)相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展，...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領(lǐng)域強(qiáng)強(qiáng)合作，國內(nèi)廠商發(fā)力！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導(dǎo)體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將共同推動(dòng)氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動(dòng)能...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:44 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]