封頂/投產(chǎn),國(guó)內(nèi)兩個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC

從氮化鎵(GaN)的“秒充”革命到碳化硅(SiC)在新能源汽車中的規(guī)?;瘧?yīng)用,化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局,為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域注入新動(dòng)能。隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增,國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期,兩個(gè)相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展,涉及碳化硅與氧化鎵。

瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目順利封頂

5月27日,瀚薪科技通過(guò)全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來(lái)源:瀚薪科技

這一里程碑的達(dá)成,標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來(lái)瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)自主可控,研發(fā)技術(shù)快速迭代,以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案,助力“雙碳”目標(biāo)與新能源產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

資料顯示,瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)及國(guó)際領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝與測(cè)試能力。公司產(chǎn)品已通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101及工規(guī)級(jí)JEDEC認(rèn)證,與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

 

廣州這個(gè)氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

近期,由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)(廣州)聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進(jìn)展,其位于南沙的首個(gè)先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套,具備批量化外延制備能力,實(shí)現(xiàn) “從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)”,為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

圖片來(lái)源:香港科技大學(xué)快訊

氧化鎵(Ga?O?)作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料,在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)(廣州)陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技,聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā),是全球獨(dú)家通過(guò)MOCVD工藝實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè),填補(bǔ)了氧化鎵材料體系中長(zhǎng)期缺失的p型導(dǎo)電空白。

據(jù)悉,拓諾稀科技通過(guò)實(shí)現(xiàn)p型導(dǎo)電,使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件(如BJT、IGBT)的能力,顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機(jī)器人、電力能源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間。團(tuán)隊(duì)采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝,形成全球獨(dú)有的技術(shù)體系,支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性,為晶圓加工和芯片集成提供堅(jiān)實(shí)支撐。

(集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理)

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