港交所將迎中國碳化硅芯片首股,第三代半導體資本競速

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

5月27日,深圳基本半導體股份有限公司(簡稱“基本半導體”)正式向港交所遞交上市申請,中信證券、國金證券(香港)及中銀國際擔任聯(lián)席保薦人,這也是中國碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申請的廠商。

圖片來源:基本半導體上市申請書截圖

基本半導體成立于2016年,總部位于深圳,作為國內(nèi)少數(shù)具備碳化硅功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋能力的企業(yè),基本半導體已實現(xiàn)從芯片設計到模塊封裝的垂直整合,其產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能等戰(zhàn)略新興領域。

據(jù)悉,基本半導體在深圳光明碳化硅晶圓制造基地、無錫新吳碳化硅功率模塊封裝基地、深圳坪山功率半導體驅(qū)動測試基地均已開始量產(chǎn)。而此次IPO募資將主要用于深圳晶圓廠與無錫封裝產(chǎn)線的產(chǎn)能擴張,以應對下游市場爆發(fā)式增長的需求。

招股書顯示,基本半導體募集資金將用于未來擴大晶圓及模塊的生產(chǎn)能力以及購買及升級生產(chǎn)設備及機器、對新碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)工作以及技術創(chuàng)新,以及拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡。

財務數(shù)據(jù)顯示,2022年至2024年,公司營收從1.17億元穩(wěn)步增長至2.99億元,年復合增長率達59.9%,盡管仍面臨盈利挑戰(zhàn),但其技術實力與市場潛力已獲得資本市場認可。

自成立以來,基本半導體已完成多輪融資,投資方涵蓋產(chǎn)業(yè)資本、知名投資機構及政府基金。

2017年天使輪由Ascatron AB、力合科創(chuàng)集團啟動研發(fā);2019年A輪獲力合科創(chuàng)集團等支持中試線投產(chǎn);2020年B輪由聞泰科技、深圳市投控資本領投,加速車載芯片認證;2021年連續(xù)完成B+輪(博世創(chuàng)投)、C1輪(博世創(chuàng)投、松禾資本等)融資,推動車規(guī)級模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;2022年完成C2輪(廣汽資本等)、兩輪C+輪(粵科金融、中車轉(zhuǎn)型升級基金等),拓展新能源市場并建設制造基地,2023年完成D輪融資,加速車規(guī)級產(chǎn)線建設。

歷次融資均聚焦技術研發(fā)與產(chǎn)能擴張,助力其成為國內(nèi)碳化硅功率器件領域領軍企業(yè)。

 

多家第三代半導體企業(yè)競相沖刺IPO

在第三代半導體產(chǎn)業(yè)的資本浪潮中,多家頭部企業(yè)相繼沖刺IPO。

天岳先進2022年1月12日登陸上海證券交易所科創(chuàng)板,2025年2月向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股(H股)的申請,擬在香港聯(lián)交所主板掛牌上市,構建”A+H”雙平臺布局。作為全球第二大碳化硅襯底制造商,天岳先進在半導體材料領域具有顯著的技術優(yōu)勢。公司通過持續(xù)的研發(fā)投入,已掌握碳化硅襯底制備的核心技術,產(chǎn)品性能達到國際先進水平。

英諾賽科于2024年12月30日成功登陸香港聯(lián)交所主板,成為港股“第三代半導體”第一股。英諾賽科位于吳江區(qū),深耕8英寸芯片制造技術多年,是全球第一家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司,通過打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺,填補了行業(yè)空白,完善了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈布局。

2025年3月25日,瀚天天成在港交所遞交招股書,擬在香港主板上市。瀚天天成成立于2011年,主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、量產(chǎn)及銷售,是全球率先實現(xiàn)8英吋碳化硅外延芯片大批量外供的生產(chǎn)商,也是中國首家實現(xiàn)商業(yè)化3英吋、4英吋、6英吋和8英吋碳化硅外延芯片全套批量供應的生產(chǎn)商。

天域半導體成立于2009年,于2024年12月向香港聯(lián)交所遞交招股書,擬在主板上市,由中信證券擔任獨家保薦人。作為專業(yè)碳化硅外延片供應商,天域半導體通過自主研發(fā),已掌握生產(chǎn)600伏至30000伏單極型及雙極型功率器件所需整個碳化硅外延片生產(chǎn)周期的必要核心技術及工藝,目前提供4英寸及6英寸碳化硅外延片,并已開始量產(chǎn)8英寸外延片。

 

結語

第三代半導體材料,尤其是碳化硅與氮化鎵,因耐高壓、高頻特性,已成為新能源與5G通信領域的核心器件。據(jù)TrendForce預測,2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將達91.7億美元。國內(nèi)企業(yè)紛紛通過IPO加速資本化進程,旨在突破技術封鎖、應對價格戰(zhàn)并綁定頭部客戶。

 

(集邦化合物半導體 妮蔻 整理)

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(集邦化合物半導體 niko 整理)

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