Plessey開發(fā)出全新GaN-on-Si工藝,可為Micro LED顯示屏提高光輸出

作者 | 發(fā)布日期 2019 年 04 月 02 日 14:05 | 分類 Micro LED

日前,英國Plessey Semiconductors表示,它已開發(fā)出專有的二維(2D)平面硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝,無需色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)即可發(fā)出綠光。

為了產(chǎn)生綠光,LED制造商通常將磷光體或量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用在天然藍(lán)色LED上。然后,這些材料將短波長(通常為450nm)藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長,轉(zhuǎn)換效率通常為10-30%。

Plessey的天然綠色LED是由其專有的GaN-on-Si外延生長工藝形成,與天然藍(lán)色LED類似,主要區(qū)別在于LED的量子阱結(jié)構(gòu)中的銦含量。Plessey表示,由于沒有顏色轉(zhuǎn)換損失,天然綠色發(fā)光比Micro LED的顏色轉(zhuǎn)換過程要亮幾個數(shù)量級。綠色LED的主要綠色波長為530nm,半寬度(FWHM)為31nm,適用于彩色顯示器。此外,綠色LED表現(xiàn)出優(yōu)異的波長穩(wěn)定性。

Plessey首席運(yùn)營官M(fèi)ike Snaith表示,“Plessey通過生長技術(shù)創(chuàng)新,已經(jīng)可以提供強(qiáng)大、高效的天然藍(lán)色Micro LED與綠色Micro LED,為市場提供下一代顯示和照明器件。”(文:LED網(wǎng) James)

 
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