天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請公布號為CN117393605A，申請日期為2023年11月7日。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC襯底；N-外延層，所述N-外延層位于所述SiC襯底之上；有源區(qū)，所述有源區(qū)為多個，多個所述有源區(qū)相間隔地排布于所述N-外延層之上；JFET區(qū)，所述JFET區(qū)位于所述N-外延層之上，且位于兩個相鄰的的所述有源區(qū)之間，所述JFET區(qū)內(nèi)設(shè)有淺溝槽結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)有固定深度，所述淺溝槽結(jié)構(gòu)與所述有源區(qū)之間設(shè)有固定距離；多晶硅柵層，所述多晶硅柵層位于所述有源區(qū)和所述JFET區(qū)之上；隔離層，所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上；金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發(fā)明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時，抑制短溝效應(yīng)，防止MOSFET器件被擊穿。
資料顯示，宏微科技成立于2006年8月，從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案，主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。
近年來，宏微科技在SiC領(lǐng)域進(jìn)展較快。2023年3月，宏微科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。
2023年11月，宏微科技在接受機構(gòu)調(diào)研時稱，SiC MOS已實現(xiàn)樣品產(chǎn)出，預(yù)計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項目時，宏微科技表示，公司用于液冷充電樁的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預(yù)計2024年上半年將進(jìn)入送樣驗證階段。
隨后在12月，宏微科技再次對SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展情況進(jìn)行了介紹。宏微科技稱，公司自主研發(fā)的SiC二極管及MOS芯片已經(jīng)逐步定型和小批量。
據(jù)宏微科技介紹，公司主要的SiC產(chǎn)品分兩類，一類是目前出貨量較大，主要用在光伏領(lǐng)域的混封產(chǎn)品；第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產(chǎn)品，2024年預(yù)計會有較大幅度的增長。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。