2月26日，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡稱普興電子）官網(wǎng)信息顯示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”進行了第一次環(huán)境影響評價信息公示（以下簡稱公告）。
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公告顯示，本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進行改擴建，建筑面積約4000平米，購置碳化硅（SiC）外延設備及配套設備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。
普興電子官網(wǎng)資料顯示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半導體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是中電科半導體材料有限公司（以下簡稱電科材料）控股子公司。普興電子的主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、氮化鎵（GaN）和SiC外延片，可廣泛應用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機、平板電腦、智能手機、家電等領域。
近年來，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導體外延材料的研發(fā)生產(chǎn)，在2021年9月啟動了占地面積130畝的新外延材料產(chǎn)業(yè)基地建設項目，并于2022年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗設備，11月即實現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線，標志著該產(chǎn)業(yè)基地正式進入試生產(chǎn)和驗證階段。
據(jù)悉，2022年4月，普興電子還公示一項“6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”，本項目總投資18000萬元，租用同輝公司（隸屬于中電科十三所）現(xiàn)有廠房，采購SiC外延爐15臺及配套測試儀器等，建設完成1條6英寸SiC外延片批量生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)6英寸SiC外延片6萬片的生產(chǎn)能力。
隨著6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目落地實施，普興電子6英寸SiC外延片產(chǎn)能將得到較大提升，有助于公司進一步深化第三代半導體外延材料領域布局。（集邦化合物半導體Zac整理）
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