近日，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目、嘉盛半導(dǎo)體蘇州封測(cè)新基地、摩珂達(dá)SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項(xiàng)目同時(shí)傳出利好消息。
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長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年7月投產(chǎn)
近日，據(jù)“湖北新聞”透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸SiC晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊。
該項(xiàng)目進(jìn)度方面，2023年8月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體與武漢東湖高新區(qū)管委會(huì)正式簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。一個(gè)月后，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開工。當(dāng)時(shí)消息，該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)200億元，一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年建設(shè)完成。
值得一提的是，2023年5月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體明確提出“All?in?SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面發(fā)力SiC賽道。當(dāng)年7月，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體SiC戰(zhàn)略項(xiàng)目（KO）A樣品達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)，標(biāo)志著長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體擁有車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品自主研發(fā)能力。
據(jù)了解，長(zhǎng)飛先進(jìn)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái)，15mohm產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達(dá)3.4mΩ·cm2，躋身國(guó)際先進(jìn)水平。除此之外，長(zhǎng)飛先進(jìn)基于該平臺(tái)的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達(dá)80%。
2023年12月，長(zhǎng)飛先進(jìn)首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiC SBD正式進(jìn)入試產(chǎn)階段，標(biāo)志著長(zhǎng)飛先進(jìn)已具備SiC產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。
此外，據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)SiC產(chǎn)品部總經(jīng)理胡學(xué)清此前透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
嘉盛半導(dǎo)體蘇州封測(cè)新基地計(jì)劃年底竣工
近日，據(jù)“蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布”消息，嘉盛先創(chuàng)科技（蘇州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱嘉盛先創(chuàng)科技）新建集成電路封裝測(cè)試生產(chǎn)項(xiàng)目廠房、辦公樓等于近期完成主體封頂，二次結(jié)構(gòu)施工及外圍護(hù)施工等工作正加快推進(jìn)。
據(jù)悉，該項(xiàng)目占地面積100畝，規(guī)劃廠房面積約14萬(wàn)平方米，主要專注于SiC、GaN、汽車電子等先進(jìn)封裝。該基地分兩期投資建設(shè)，其中一期于2022年8月開工，計(jì)劃于今年年底竣工，2025年初試運(yùn)營(yíng)，將成為嘉盛半導(dǎo)體蘇州封測(cè)新基地。
資料顯示，嘉盛半導(dǎo)體成立于1972年，總部位于馬來(lái)西亞，是一家半導(dǎo)體封裝與測(cè)試供應(yīng)商。嘉盛半導(dǎo)體（蘇州）有限公司成立于2002年3月，量產(chǎn)生產(chǎn)開始于2004年，廠房面積56000平方米。2022年2月，嘉盛先創(chuàng)科技在蘇相合作區(qū)注冊(cè)成立，注冊(cè)資本8000萬(wàn)美元。嘉盛半導(dǎo)體（蘇州）有限公司和嘉盛先創(chuàng)科技均由嘉盛控股 (香港) 有限公司全資控股。
摩珂達(dá)SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項(xiàng)目簽約
3月27日，浙江省嘉興國(guó)家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項(xiàng)目集中簽約儀式舉行?；顒?dòng)現(xiàn)場(chǎng)，2個(gè)總投資超50億元的瓷新半導(dǎo)體材料總部項(xiàng)目、摩珂達(dá)SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項(xiàng)目完成簽約。
值得一提的是，不久前，嘉興國(guó)家高新區(qū)還簽約另一個(gè)SiC項(xiàng)目。今年2月消息，嘉興國(guó)家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項(xiàng)目簽約。該項(xiàng)目由晶能微電子與星驅(qū)技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同出資設(shè)立，重點(diǎn)布局車規(guī)SiC半橋模塊。
該項(xiàng)目總投資約10億元，投資建設(shè)年產(chǎn)90萬(wàn)套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關(guān)配套，投產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約12.5億元。
據(jù)晶能微電子CEO潘運(yùn)濱透露，該項(xiàng)目是在去年晶能微電子投資50.17億元建設(shè)晶圓和模塊生產(chǎn)線基礎(chǔ)上，聯(lián)合合作伙伴，針對(duì)新的市場(chǎng)需求和產(chǎn)品類型做的新一輪擴(kuò)產(chǎn)投資。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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