近日，株洲科能新材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱株洲科能）和合肥芯谷微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱芯谷微）兩家化合物半導(dǎo)體廠商相繼披露了IPO最新進(jìn)展。
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株洲科能科創(chuàng)板IPO進(jìn)入財(cái)報(bào)更新階段
2023年6月21日，株洲科能科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲上交所受理，隨后在7月17日，株洲科能科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問(wèn)詢階段，目前，株洲科能科創(chuàng)板IPO進(jìn)入財(cái)報(bào)更新階段。
招股書(shū)顯示，株洲科能長(zhǎng)期致力于Ⅲ-Ⅴ族化學(xué)元素材料提純技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，主要從事4N以上鎵、銦、鉍、碲等稀散金屬元素及其氧化物的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
株洲科能產(chǎn)品主要包括高純鎵、高純銦以及ITO等靶材用銦（4N5-5N）、氧化銦、氧化鎵等電子級(jí)稀散金屬系列產(chǎn)品，和工業(yè)鎵、鉍及氧化鉍等工業(yè)級(jí)稀散金屬系列產(chǎn)品兩大類，主要應(yīng)用于磷化銦、砷化鎵等化合物半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池P型硅片、ITO等靶材合成以及醫(yī)藥、化工等領(lǐng)域高端產(chǎn)品制造。
目前，株洲科能重要客戶覆蓋了Freiberger、AXT、Wafer、5N Plus、Rasa等國(guó)際知名化合物半導(dǎo)體企業(yè)，三安光電、蘇州納維、云南鑫耀、浙江康鵬等國(guó)內(nèi)主要化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)及中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等科研單位，以及三井金屬、ANP、光洋科技等國(guó)際領(lǐng)先的ITO靶材企業(yè)，和BASF、Ferro、SHINTO、KCC等國(guó)際領(lǐng)先的化工企業(yè)。
財(cái)報(bào)方面，2020-2022年度，株洲科能營(yíng)收分別為3.39億元、5.71億元、6.79億元，歸母凈利潤(rùn)分別為0.09億元、0.29億元、0.51億元，歸母扣非凈利潤(rùn)分別為0.08億元、0.26億元、0.44億元。
通過(guò)此次IPO，株洲科能擬募集5.88億元資金投入年產(chǎn)500噸半導(dǎo)體高純材料項(xiàng)目及回收項(xiàng)目、稀散金屬先進(jìn)材料研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目的建設(shè)并補(bǔ)充流動(dòng)資金。
芯谷微科創(chuàng)板IPO終止
4月17日，芯谷微上交所科創(chuàng)板IPO審核狀態(tài)變更為“終止”。因芯谷微及其保薦人撤回發(fā)行上市申請(qǐng)，根據(jù)《上海證券交易所股票發(fā)行上市審核規(guī)則》第六十三條的相關(guān)規(guī)定，上交所終止其發(fā)行上市審核。
招股書(shū)顯示，芯谷微專注于半導(dǎo)體微波毫米波芯片、微波模塊和T/R 組件的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，主要向市場(chǎng)提供基于GaAs、GaN化合物半導(dǎo)體工藝的系列產(chǎn)品，并圍繞相關(guān)產(chǎn)品提供技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)。公司產(chǎn)品和技術(shù)主要應(yīng)用于電子對(duì)抗、精確制導(dǎo)、雷達(dá)探測(cè)、軍用通信等國(guó)防軍工領(lǐng)域，并通過(guò)不斷的研發(fā)創(chuàng)新，逐步向儀器儀表、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、5G毫米波通信等民用領(lǐng)域拓展。
財(cái)報(bào)方面，2020-2022年度，芯谷微營(yíng)收分別為0.64億元、1.00億元、1.49億元，歸母凈利潤(rùn)分別為0.37億元、0.43億元、0.58億元，歸母扣非凈利潤(rùn)分別為0.30億元、0.32億元、0.47億元。
此次IPO，芯谷微原本擬募集資金投入微波芯片封測(cè)及模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目的建設(shè)以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
值得注意的是，芯谷微在招股書(shū)中提到，其存在技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。芯谷微產(chǎn)品芯片和模組主要應(yīng)用于電子對(duì)抗、精確制導(dǎo)、雷達(dá)探測(cè)、軍用通信等國(guó)防軍工領(lǐng)域，其技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)需緊密結(jié)合行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、下游應(yīng)用場(chǎng)景、客戶需求變化等因素，具有研發(fā)投入大、開(kāi)發(fā)周期長(zhǎng)的特點(diǎn)。若其技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)失敗，或者對(duì)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)把握不準(zhǔn)確、未能緊跟下游應(yīng)用的發(fā)展方向進(jìn)行產(chǎn)品升級(jí)，將會(huì)對(duì)其未來(lái)業(yè)務(wù)拓展和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)帶來(lái)不利影響。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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