近日，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新增2起合作案例，分別為矽迪半導(dǎo)體&永陽集團(tuán)戰(zhàn)略合作簽約、Finwave與GlobalFoundries合作開發(fā)用于手機(jī)應(yīng)用的RF GaN-on-Si技術(shù)。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
矽迪半導(dǎo)體與永陽集團(tuán)舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式
9月3日，據(jù)矽迪半導(dǎo)體官微消息，矽迪半導(dǎo)體近日與永陽集團(tuán)舉行了戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式，雙方將在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)拓展及產(chǎn)業(yè)鏈整合等方面進(jìn)行合作。
資料顯示，矽迪半導(dǎo)體成立于2023年2月，致力于功率模塊應(yīng)用解決方案研發(fā)與銷售，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的功率模塊應(yīng)用、仿真、設(shè)計(jì)、數(shù)據(jù)管理、項(xiàng)目流管理等于一體的EDA工具，并具備全面的研發(fā)能力，包括終端方案、功率模塊、芯片研發(fā)等，能夠?yàn)榭蛻籼峁?yīng)用性強(qiáng)、能效高、響應(yīng)迅速的集成化產(chǎn)品解決方案。
據(jù)悉，矽迪半導(dǎo)體的核心業(yè)務(wù)是功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品，相關(guān)產(chǎn)品均采用新型的工藝技術(shù)和先進(jìn)的半導(dǎo)體材料，如碳化硅和氮化鎵，以及高功率密度IGBT和FRD等。
矽迪半導(dǎo)體核心產(chǎn)品升壓轉(zhuǎn)換器（Boost）采用了IGBT并聯(lián)碳化硅MOSFET技術(shù)，組合轉(zhuǎn)換效率達(dá)99%，成本可降低至全碳化硅方案的6成左右。
2023年9月，矽迪半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元天使輪融資，由九合創(chuàng)投領(lǐng)投，融資資金主要用于產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。
作為矽迪半導(dǎo)體戰(zhàn)略合作方，永陽集團(tuán)成立于2004年，是一家致力于為客戶提供電子元器件及技術(shù)服務(wù)的專業(yè)公司，主營(yíng)射頻、微波、毫米波器件、高精度射頻電纜組件，同軸連接器及消費(fèi)類電子IC產(chǎn)品，是世界各大射頻微波器件廠商在中國市場(chǎng)的授權(quán)代理商。
Finwave與GlobalFoundries合作開發(fā)手機(jī)用RF GaN-on-Si技術(shù)
據(jù)外媒報(bào)道，8月29日，專注于氮化鎵技術(shù)的Finwave公司宣布已與專業(yè)代工廠GlobalFoundries（GF）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略技術(shù)開發(fā)和許可協(xié)議。
雙方此次合作旨在將Finwave的GaN-on-Si技術(shù)與GF在美國的大批量生產(chǎn)能力和在RF方面的持久創(chuàng)新（包括RF絕緣體上硅和硅鍺解決方案）相結(jié)合。合作的重點(diǎn)將是優(yōu)化Finwave的增強(qiáng)型（E-mode）MISHEMT技術(shù)，并在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯靈頓的8英寸半導(dǎo)體制造工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
Finwave的8英寸GaN-on-Si E-mode MISHEMT平臺(tái)提供了卓越的射頻性能以及在低于5V的電壓下出色的增益和效率，同時(shí)確保8英寸晶圓的高均勻性。
通過利用Finwave的技術(shù)，GF的90RFGaN平臺(tái)將提供高功率密度和高效率，從而實(shí)現(xiàn)高性能、優(yōu)化的設(shè)備，節(jié)省占用空間和成本。雙方此次合作將在傳統(tǒng)GaAs和Si技術(shù)無法滿足的應(yīng)用中，提供高效功率放大器解決方案，包括新的更高頻率的5G FR2/FR3頻段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi 7系統(tǒng)，這些應(yīng)用中卓越的有效傳輸距離和效率至關(guān)重要。
對(duì)于此次合作，F(xiàn)inwave首席執(zhí)行官Pierre-Yves Lesaicherre博士表示，雙方合作為射頻前端的進(jìn)一步創(chuàng)新和集成到單一硅基氮化鎵設(shè)備上打開了大門。這是以前從未做過的，并且有可能降低成本和尺寸，這兩者對(duì)于手機(jī)而言都非常重要。
GF射頻業(yè)務(wù)副總裁兼總經(jīng)理Shankaran Janardhanan則表示，隨著下一代無線網(wǎng)絡(luò)對(duì)設(shè)備的運(yùn)行頻率提出了更高的要求，F(xiàn)inwave的低電壓硅基氮化鎵技術(shù)結(jié)合GF的90RFGaN平臺(tái)將成為未來手機(jī)中功率放大器的重要組成部分，確保了強(qiáng)大的性能和高功率效率。
基于GF的大批量CMOS制造能力，F(xiàn)inwave和GlobalFoundries的目標(biāo)是在2026年上半年將這項(xiàng)技術(shù)用于大規(guī)模生產(chǎn)。
據(jù)悉，F(xiàn)inwave的前身是劍橋電子公司，由麻省理工學(xué)院的研究人員于2012年創(chuàng)立。2022年7月，F(xiàn)inwave宣布完成1220萬美元的A輪融資，這筆資金將用于擴(kuò)大公司的團(tuán)隊(duì)、產(chǎn)品開發(fā)活動(dòng)和實(shí)驗(yàn)室設(shè)施，推進(jìn)Finwave采用下一代3D GaN FinFET技術(shù)。
3D GaN FinFET技術(shù)由Finwave聯(lián)合創(chuàng)始人Tomas Palacios教授和Bin Lu博士合作研發(fā)，能夠顯著提高5G毫米波系統(tǒng)的線性度、輸出功率和效率，同時(shí)降低運(yùn)營(yíng)商成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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