鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長(zhǎng)晶設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)

9月20日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)發(fā)布了公司首臺(tái)氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)需求,還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù),是鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵專用長(zhǎng)晶設(shè)備

source:鎵仁半導(dǎo)體

據(jù)介紹,鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備滿足氧化鎵生長(zhǎng)所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥(Ir)坩堝材料,可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)了獨(dú)特的復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法,確保晶體生長(zhǎng)過程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。

該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化晶體生長(zhǎng)流程,減少了人工干預(yù),顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形,通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶,且支持向更大尺寸單晶的升級(jí),以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。

除了在設(shè)備領(lǐng)域有動(dòng)作,鎵仁半導(dǎo)體今年在融資、合作以及氧化鎵技術(shù)方面也有相關(guān)進(jìn)展。

今年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。

6月底,鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議,雙方將協(xié)作實(shí)現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合,用碳化硅出色的散熱性能來彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足,同時(shí)通過氧化鎵和硅的鍵合,大幅度降低成本,推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。

7月,鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。

8月,鎵仁半導(dǎo)體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂。

9月上旬,鎵仁半導(dǎo)體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展,成功研制超薄6英寸襯底,襯底厚度小于200微米。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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