9月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。
source：鎵仁半導(dǎo)體
據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備滿足氧化鎵生長所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團隊自主設(shè)計了獨特的復(fù)合測溫技術(shù)和控溫算法，確保晶體生長過程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。
該設(shè)備實現(xiàn)了全自動化晶體生長流程，減少了人工干預(yù)，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。
除了在設(shè)備領(lǐng)域有動作，鎵仁半導(dǎo)體今年在融資、合作以及氧化鎵技術(shù)方面也有相關(guān)進展。
今年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷。
6月底，鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議，雙方將協(xié)作實現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合，用碳化硅出色的散熱性能來彌補氧化鎵散熱性能的不足，同時通過氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。
7月，鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。
8月，鎵仁半導(dǎo)體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂。
9月上旬，鎵仁半導(dǎo)體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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